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K3634-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K3634-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3634-Z-VB

K3634-Z-VB概述


    产品简介


    产品名称:N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
    本产品是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET® Power MOSFET系列。它具有多种优越特性,广泛应用于开关电源的设计中,特别是在高效率要求的应用场合。这类MOSFET以其高功率密度、低导通电阻和优异的热稳定性著称。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 200 V | - |
    | 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\) | 2 - 4 V | - |
    | 栅极漏电流 \(I{GSS}\) | ≤100 nA | - |
    | 零栅极电压漏电流 \(I{DSS}\) | 1 μA | 50 μA |
    | 导通状态漏极电流 \(I{D(on)}\) | 40 A | - |
    | 导通状态漏源电阻 \(R{DS(on)}\) | 0.290 Ω | 0.320 Ω |
    | 前向跨导 \(g{fs}\) | 35 S | - |
    | 输入电容 \(C{iss}\) | 1800 pF | - |
    | 输出电容 \(C{oss}\) | 180 pF | - |
    | 反向传输电容 \(C{rss}\) | 80 pF | - |
    | 总栅极电荷 \(Qg\) | 34 nC | 51 nC |
    | 栅极-源极电荷 \(Q{gs}\) | 8 nC | - |
    | 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\) | 12 nC | - |
    | 栅极电阻 \(Rg\) | 0.5 Ω | 2.9 Ω |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:最高工作温度可达175°C,确保在极端环境下的稳定运行。
    - 高效能:PWM优化设计,实现高转换效率。
    - 严格测试:100%栅极电阻测试,保证产品质量。
    - 符合RoHS标准:环保设计,符合欧盟RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET常用于开关电源的设计中,例如笔记本电脑充电器、通信设备电源转换模块等。其高耐压能力和低导通电阻使其非常适合于这些应用。
    使用建议
    - 在应用时,务必注意MOSFET的绝对最大额定值,避免因过载导致损坏。
    - 考虑到开关损耗和热耗散,合理选择散热措施以保持MOSFET的工作温度低于175°C。

    兼容性和支持


    - 该MOSFET采用T0-252封装,便于表面贴装,易于集成到现有电路中。
    - 厂商提供详细的技术支持文档和售后服务,以帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电流不足
    解决方案:检查栅极驱动电压是否达到规定值,调整驱动电路。

    2. 问题:发热严重
    解决方案:增加散热片或使用散热膏提高散热效果,避免长期过载工作。

    3. 问题:失效
    解决方案:检查电路是否存在反向电压冲击,采取保护措施。

    总结和推荐


    这款N-Channel 200 V (D-S) MOSFET凭借其出色的热稳定性和高效的转换能力,在开关电源设计中表现出色。它适用于各种高压应用,并且在极端环境下依然能够稳定运行。强烈推荐此产品作为高性能开关电源的理想选择。

K3634-Z-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3634-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3634-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3634-Z-VB K3634-Z-VB数据手册

K3634-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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型号 价格(含增值税)
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