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K4A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A55D-VB

K4A55D-VB概述

    K4A55D-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4A55D-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,专为高电压和大电流应用设计。它具有低栅极电荷、改进的栅极抗冲击能力和动态 dv/dt 抗冲击性,适用于电源转换、电机驱动和其他需要高可靠性的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):10V 时为 2.5Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 48nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):12nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):19nC
    - 重复脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散(PD):25°C 时为 30W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:降低驱动需求,简化电路设计。
    - 改进的栅极抗冲击能力:增强可靠性,适用于高压和大电流环境。
    - 全面的电容和雪崩特性表征:确保稳定的性能表现。
    - 符合 RoHS 指令:环保设计,符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于开关电源、电机驱动、工业控制等领域。
    - 使用建议:在高电流环境下使用时,应注意散热管理,以避免过热问题。建议使用适当的热设计来提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数高电压和高电流应用场景,可与多种控制器和其他元器件配套使用。
    - 支持:提供详细的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何进行有效的散热管理?
    - 解决方案:确保良好的热传导路径,使用散热片或风扇来提高散热效率。
    - 问题2:在高温环境下工作时,栅极电荷变化如何影响性能?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器并优化电路设计,以减少因高温引起的栅极电荷变化对性能的影响。

    总结和推荐


    K4A55D-VB 是一款功能强大且性能稳定的 N-Channel MOSFET,特别适合需要高电压和大电流的应用场景。其低栅极电荷和改进的抗冲击能力使其成为电源转换和电机驱动应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给寻求高性能、高可靠性的工程师和设计师。
    以上是对 K4A55D-VB N-Channel MOSFET 的详细介绍,希望可以为您提供有价值的信息。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

K4A55D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A55D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4A55D-VB K4A55D-VB数据手册

K4A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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