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2SK1636S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 2SK1636S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1636S-VB

2SK1636S-VB概述

    2SK1636S N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2SK1636S 是一种高性能的N-通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。它具备出色的动态电压变化率、重复性雪崩击穿能力以及快速开关性能。此外,这款MOSFET还具有简单并联和易于驱动的优点,是电源管理和电机控制等应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定漏源电压(VDS):250 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 栅源漏电流(IGSS):± 100 nA @ VGS = ± 20 V
    - 开启状态电阻(RDS(on)):0.23 Ω @ VGS = 10 V,ID = 8.4 A
    - 最大连续漏极电流(ID):16 A @ TC = 25 °C,9.5 A @ TC = 100 °C
    - 电学特性
    - 输入电容(Ciss):最大1300 pF @ VGS = 0 V,VDS = 25 V,f = 1.0 MHz
    - 输出电容(Coss):最大330 pF
    - 反向传输电容(Crss):最大85 pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大68 nC
    - 热学特性
    - 热阻(RthJA):最大62 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):550 mJ
    - 单脉冲雪崩电流(IAR):14 A
    - 最大功率耗散(PD):125 W @ TC = 25 °C
    - 机械特性
    - 封装类型:D2PAK(TO-263)
    - 引脚布局:标准引脚配置
    - 绝对最大额定值:峰值温度为300 °C @ 峰值时间10秒

    产品特点和优势


    2SK1636S N-通道功率MOSFET 具备如下特点:
    - 动态dv/dt额定值:确保快速稳定的开关操作。
    - 重复雪崩额定值:提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 快速开关特性:显著减少功耗,提高效率。
    - 并联容易:便于多器件并联以提高电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:降低了驱动电路的设计复杂度。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:如直流-直流转换器。
    - 电机控制:如电动机驱动。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,确保驱动电路具备足够的电流驱动能力和低内阻。
    - 为了优化散热性能,考虑采用大面积铜散热片或散热器。
    - 使用合适的PCB设计,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK1636S 适用于大多数现有的开关电源模块,可以方便地与其他兼容的电子元器件连接使用。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和电话咨询,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开关速度慢导致功耗增加。
    - 解决方案:检查驱动电路是否提供足够的栅极驱动电流,并考虑优化PCB布局以减少寄生电感。
    - 问题:工作温度过高。
    - 解决方案:使用更高效的散热器或增强散热设计,确保器件正常工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    2SK1636S N-通道功率MOSFET 具备优异的性能参数和可靠性,非常适合需要高频率开关、高功率密度和高效能的应用场合。其独特的特性和优势使其成为电力电子设计的理想选择。总体而言,强烈推荐使用此款MOSFET,在确保高性能的同时,还可以提升整体系统效率和可靠性。

2SK1636S-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 16A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@10V,276mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK1636S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1636S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1636S-VB 2SK1636S-VB数据手册

2SK1636S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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