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KD4501-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: KD4501-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD4501-VB

KD4501-VB概述

    # KD4501 半导体 MOSFET 技术手册

    产品简介


    KD4501 是一款 N 沟道和 P 沟道增强型硅栅场效应管,最大耐压值为 30V(D-S),采用先进的 TrenchFET® 工艺技术制造。这款 MOSFET 在性能上表现出色,广泛应用于电机驱动、移动电源等领域。它具有低导通电阻、高可靠性以及环保特性,符合 RoHS 和无卤素标准,能够满足现代电子设备对高性能和安全性的需求。

    技术参数


    主要规格
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150℃) | ID | 8e(N-) | 8e(N-) | A |
    | 脉冲漏极电流(10μs脉宽) | IDM | 40 | 40 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 10~20 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 5~20 | - | mJ |
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 击穿电压 | VDS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | VDS=5V, VGS=10V | - | 20 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=6.8A | - | 0.018 | - | Ω |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=20V, RL=3.7Ω | 4 | 8 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | VDD=20V, RL=3.7Ω | 16 | 22 | - | ns |
    | 输出电荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V | 6 | 10 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. 环保设计:符合RoHS指令和无卤素要求,适合绿色电子应用。
    2. 卓越性能:低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度使其成为高效能电路的理想选择。
    3. 高可靠性:所有批次均经过UIS测试和Rg测试,确保产品稳定性。
    4. 多功能适用性:适用于电机驱动和便携式设备等多种场景。

    应用案例和使用建议


    KD4501 MOSFET 可广泛应用于需要高效能和稳定性的场合,例如电机驱动系统和便携式充电宝。以下是使用时的几点建议:
    1. 确保正确安装散热片以避免过热。
    2. 使用适当的驱动电路以实现最佳开关效率。
    3. 在高频应用中考虑寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    KD4501 支持多种封装形式,并且可以通过官网获取详细的技术文档和支持服务。VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免器件过热?
    - 答:使用合理的散热设计并监控工作温度。

    2. 问:出现漏电流异常怎么办?
    - 答:检查焊接质量及电路布局,必要时更换元件。

    总结和推荐


    KD4501 MOSFET 是一款高性能、环保型半导体器件,在电机驱动和便携设备中表现优异。它的低功耗特性使其成为节能应用的理想选择。综合来看,KD4501 推荐用于需要高性能、高可靠性的电子产品中。

KD4501-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD4501-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD4501-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD4501-VB KD4501-VB数据手册

KD4501-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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