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K3917-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3917-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3917-01MR-VB

K3917-01MR-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET
    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用在电力电子领域的高性能器件。它具有高效率、低损耗和快开关速度的特点。Power MOSFET主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明和工业应用。

    技术参数


    以下是该Power MOSFET的主要技术参数:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID):25°C时为4A(TJ=150°C时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):重复率限制
    - 绝对最大额定值下的单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 最大功率耗散(PD):140W
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 最小结温(Tstg):-55°C
    - 输入电容(Ciss):120pF
    - 输出电容(Coss):70pF
    - 传输电容(Crss):40pF
    - 总栅电荷(Qg):10nC
    - 栅源电荷(Qgs):25nC
    - 栅漏电荷(Qgd):45nC
    - 阈值电压(VGS(th)):2.5V~5V

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET具有多个显著的特点和优势:
    - 低FOM(Ron x Qg):这意味着它在保持低导通电阻的同时能够减少栅极电荷,从而降低总开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):有助于快速开关时间,减少驱动电路的功耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低驱动电路的复杂性和成本。
    - 雪崩能量(UIS):能够在极端条件下提供可靠的保护。
    这些特性使其在高效率和高频应用中表现出色,适用于需要高效能、高速度和高可靠性的电力电子应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源系统:利用其高可靠性,提高系统效率。
    - 开关模式电源(SMPS):通过低损耗和高效率实现稳定的电力输出。
    - 照明:特别适用于高强度放电(HID)灯和荧光灯的镇流器。
    - 工业应用:在各类工业电源和控制系统中表现出色。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保栅极驱动电压符合规定范围,以避免过压损坏。
    - 注意散热管理,特别是在高功率运行时,避免温度超过最大允许值。
    - 使用时注意外部电容的选择,以优化整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的TO-220封装兼容,方便集成到现有系统中。
    - 支持和维护:提供详尽的技术文档和用户手册,技术支持团队随时准备解答客户疑问。

    常见问题与解决方案


    - 问题:电源启动时MOSFET过热。
    解决方案:检查散热设计,确保MOSFET安装位置有良好的空气流通和冷却措施。
    - 问题:驱动电路不稳定。
    解决方案:检查栅极驱动信号的频率和幅值,确保它们在规定的范围内。

    总结和推荐


    总结:该Power MOSFET具备低损耗、高效率和可靠的性能,适用于多种高要求的应用场合。其独特的技术特点和良好的市场表现使其成为众多工程师的首选。
    推荐:强烈推荐使用此款Power MOSFET,尤其是在高效率和高性能需求的电力电子应用中。它不仅能满足基本的电力转换需求,还能显著提升系统的总体性能和可靠性。
    如果您有任何进一步的问题或需要更详细的信息,请联系我们的技术支持团队。

K3917-01MR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3917-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3917-01MR-VB数据手册

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K3917-01MR-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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