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KIA3400-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: 14M-KIA3400-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA3400-VB

KIA3400-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TrenchFET® 技术制造。它具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点,适用于各种电力转换应用,如直流到直流转换器。其小型化设计使其成为许多紧凑型电路的理想选择。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:6.5 A
    - TC = 70 °C:6.0 A
    - TA = 25 °C:5.3 A
    - TA = 70 °C:5.0 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):25 A
    - 持续源漏二极管电流 (IS):1.4 A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25 °C:1.7 W
    - TC = 70 °C:1.1 W
    - TA = 25 °C:1.1 W
    - TA = 70 °C:0.7 W
    - 工作结温范围:-55 至 150 °C
    - 规格:
    - 静态
    - 漏源击穿电压 (VDS):30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):0.7 V 至 2.0 V
    - 开启状态漏电流 (ID(on)):10 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V:0.030 Ω
    - VGS = 4.5 V:0.033 Ω
    - 动态
    - 输入电容 (Ciss):335 pF
    - 输出电容 (Coss):45 pF
    - 逆向转移电容 (Crss):17 pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V:4.5 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V:2.1 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型条件下,VGS = 10 V 时的导通电阻仅为 0.030 Ω,使得在大电流下能够实现高效的能量转换。
    - 高可靠性:通过设计保证,无生产测试限制,保证了产品的长期稳定性。
    - 绿色制造:符合 RoHS 和卤素自由标准,符合环保要求。
    - 广泛应用:适合于直流到直流转换器等多种电力转换应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流到直流转换器:N-Channel 30-V MOSFET 在高效电源转换系统中发挥关键作用,可以有效减少能源损耗。

    - 使用建议:
    - 散热管理:在高温环境下使用时,建议增加外部散热片以降低热阻,确保长期稳定运行。
    - 驱动电路设计:在设计驱动电路时,需要考虑驱动信号的幅度和频率,确保 MOSFET 能够在最佳状态下工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:N-Channel 30-V MOSFET 适用于多种标准电路板和封装,易于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品咨询、技术文档和售后维护,确保客户能够在使用过程中获得及时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:电源系统不稳定
    - 解决方案:检查负载是否过大,适当增加外部散热片以降低热阻。
    - 问题 2:MOSFET 过热
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,特别是散热措施是否到位;考虑更换更高功率级别的 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    这款 N-Channel 30-V MOSFET 以其出色的低导通电阻和高效能,在直流到直流转换器和其他电力转换应用中表现出色。其绿色制造理念和广泛的兼容性使其成为现代电子产品设计的优选。我们强烈推荐该产品用于需要高性能、高可靠性的应用场合。
    如有任何进一步的疑问,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

KIA3400-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KIA3400-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA3400-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA3400-VB KIA3400-VB数据手册

KIA3400-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5058
50+ ¥ 0.476
150+ ¥ 0.4248
500+ ¥ 0.3183
3000+ ¥ 0.3064
9000+ ¥ 0.2975
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