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K3635-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: K3635-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3635-VB

K3635-VB概述

    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册



    产品简介



    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为PWM优化设计。这种MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,使其具备极低的导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能。其广泛应用于电源管理和电机控制等领域,特别是在需要高效率和可靠性的应用场合。


    技术参数



    以下是N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 的主要技术规格:

    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |------|------|--------|--------|--------|-----|
    | 漏源电压 (VDS) | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流 (TJ = 175 °C) | ID | 8 @ TC = 25 °C | - | 5 @ TC = 125 °C | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 25 | - | - | A |
    | 持续源电流 (二极管导通) | IS | 5 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 18 | - | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 96 @ TC = 25 °C | - | - | W |
    | 热阻抗 (结到环境) | RthJA | 15 | - | 18 | °C/W |
    | 热阻抗 (结到外壳) | RthJC | 0.85 | - | 1.1 | °C/W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |


    产品特点和优势



    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - TrenchFET® 技术:实现低导通电阻和高电流处理能力。
    - 宽温度范围:工作温度可达175 °C,确保在极端环境下的可靠性。
    - PWM优化:适合高频开关应用,提升整体系统效率。
    - RoHS合规:符合环保标准,适用于对环境要求高的应用。


    应用案例和使用建议



    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 广泛应用于电源管理和电机控制领域,例如:
    - 电源管理:作为初级侧开关,提高电源转换效率。
    - 电机控制:用于驱动电动机,实现高效能量转换。

    使用建议:
    - 在高频率PWM应用中,应注意选择合适的栅极电阻(Rg),以确保良好的开关性能。
    - 在高温环境下使用时,需考虑热设计,确保散热良好。


    兼容性和支持



    - 兼容性:N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 可与其他主流控制器芯片(如MCU)无缝兼容。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持,包括样品申请、工程设计咨询等。


    常见问题与解决方案



    | 问题 | 解决方案 |
    |------|---------|
    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加外部散热器。 |
    | 导通电阻偏高 | 确保正确的栅极驱动电压,选择合适的栅极电阻(Rg)。 |
    | 工作温度超出规定范围 | 使用散热片或风扇进行强制冷却。 |


    总结和推荐



    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的适用范围,在多种应用场景中表现出色。尤其在需要高效率和稳定性的电源管理和电机控制领域,此产品值得推荐。结合其优秀的技术参数和丰富的功能,是电子设计师的理想选择。

    通过上述分析可以看出,这款N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一款极具竞争力的产品,适用于多种工业和消费类电子产品。

K3635-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,320mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3635-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3635-VB数据手册

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K3635-VB封装设计

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