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WFF2N60-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: WFF2N60-A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF2N60-A-VB

WFF2N60-A-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) 功率 MOSFET(型号:WFF2N60-A)是一款高性能的低导通电阻(RDS(on))功率场效应晶体管。它广泛应用于电源转换、电机驱动和其他需要高电压、高电流控制的应用场景。此款MOSFET具有低门极电荷(Qg)、强健的门极、雪崩和动态dV/dt特性,完全符合RoHS指令2002/95/EC的要求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | - | 1.28 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 8 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 165 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR | - | - | 2 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | - | 6 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 25 | W |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg): 这种设计可以简化驱动需求,从而降低了功耗。
    2. 增强的门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性: 提高了在高压环境下的稳定性。
    3. 完全标定的电容和雪崩电压电流特性: 确保了产品在各种条件下的可靠性。
    4. 符合RoHS指令: 保证了产品的环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: 利用其高耐压和低导通电阻特性,可实现高效能的电源转换。
    - 电机驱动器: 在电机驱动中,它能够提供良好的电流控制和保护功能。
    - 使用建议: 在高频开关电路中,考虑添加适当的栅极电阻以降低损耗。

    兼容性和支持


    - 该产品适用于广泛的电源管理系统和电机驱动系统。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括详尽的使用手册和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现过高的漏极电流。
    - 解决方案: 适当增加栅极电阻以限制电流,同时确保足够的散热措施。
    2. 问题: 高温环境下工作时性能下降。
    - 解决方案: 选择合适的散热器并确保电路板的良好通风。

    总结和推荐


    总体而言,WFF2N60-A 是一款极具竞争力的N-Channel 650V MOSFET,具有优异的性能和广泛的应用领域。其在高温和高电压环境下的稳定性和耐用性使其成为许多工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐用于要求高可靠性的应用中。

WFF2N60-A-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF2N60-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF2N60-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF2N60-A-VB WFF2N60-A-VB数据手册

WFF2N60-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504