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K3667-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3667-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3667-VB

K3667-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子系统中。它具有低损耗、高效率的特点,适用于多种类型的电源转换和控制电路。具体而言,这款Power MOSFET主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业应用。

    技术参数


    以下是该Power MOSFET的主要技术规格:
    - 最大电压 (VDS): 650 V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 TJ = 25°C 时:3.5 A
    - 在 TJ = 100°C 时:3.5 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 3.5 A
    - 最高工作温度 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大功耗 (PD): 200 W
    - 热阻抗 (RthJA): 63°C/W
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 总栅极电荷 (Qg): 13 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)

    产品特点和优势


    该Power MOSFET具有以下独特的功能和优势:
    - 低FOM (Ron x Qg): 这使得该器件在高频应用中表现出色,减少了开关损耗和传导损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了开关过程中的能量损失。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 降低了驱动功耗。
    - 重复脉冲雪崩能量 (EAS): 可以承受高能量脉冲,确保器件的可靠性和耐用性。
    这些特点使其在高效率、高可靠性的应用场景中表现出色,尤其是在服务器电源、电信设备和工业控制领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:利用其高可靠性,减少因功率损耗引起的发热。
    2. 开关模式电源 (SMPS):因其低损耗和高效率,适合用于高效能电源设计。
    3. 功率因数校正 (PFC):在高压大电流条件下稳定运行,提升能源利用率。
    4. 照明系统:如高强度放电灯和荧光灯,确保灯具高效工作,延长使用寿命。
    使用建议
    - 在高功率密度的应用中,选择合适的散热方案以保持工作温度在安全范围内。
    - 对于频繁开关的应用,应注意电容的选择以减少开关损耗。
    - 避免长时间过载,以防止因过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    该Power MOSFET符合RoHS和无卤标准,与市场上常见的电源转换和控制系统兼容。厂商提供详细的技术支持,包括产品文档、应用指南和故障排除资源。如有任何问题,可通过服务热线 400-655-8788 联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何降低导通电阻?
    - 解决方案:通过提高栅极驱动电压,减少驱动电阻。
    2. 问题:如何处理热管理问题?
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行强制散热,确保工作温度在安全范围内。
    3. 问题:如何改善开关速度?
    - 解决方案:降低栅极电荷 (Qg),提高驱动电流。

    总结和推荐


    总体来看,这款Power MOSFET以其低损耗、高效率和高可靠性等特点,在多种应用场景中表现优异。特别适合于高功率、高可靠性要求的系统设计。尽管价格相对较高,但其出色的性能和可靠性使其成为众多设计师的首选。因此,我们强烈推荐使用该Power MOSFET。

K3667-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3667-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3667-VB数据手册

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K3667-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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