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K5A60DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A60DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A60DA4-VB

K5A60DA4-VB概述

    K5A60DA4 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K5A60DA4 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(场效应晶体管),具备低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss)的特点。它被广泛应用于多种电力转换和控制电路中,例如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(包括高强度放电灯HID和荧光灯照明)以及工业控制领域。

    技术参数


    - 工作电压(VDS):最大650V,适用于高电压应用
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为1Ω(VGS=10V时)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为16nC
    - 栅源电荷(Qgs):最大值为4nC
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值为8nC
    - 最大连续漏极电流(ID):在结温TJ=150°C时可达3.5A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):重复脉冲条件下可达1μA
    - 绝对最大额定值
    - 结点温度范围:TJ, Tstg -55°C至+150°C
    - 雪崩能量(EAS):最大90mJ
    - 最大功率耗散:最大值为10W
    - 热阻:结到外壳热阻(RthJC)最大为0.6°C/W

    产品特点和优势


    K5A60DA4 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:降低导通损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷:减少开关损耗,实现快速开关。
    - 雪崩能力:具有优异的瞬态电压抑制能力。
    - 高温稳定性:在极端温度下保持良好的性能。
    这些特点使得 K5A60DA4 在高功率应用中表现出色,特别是在需要低损耗和高效能的场合。

    应用案例和使用建议


    K5A60DA4 广泛应用于各种高功率电子设备中。例如,在服务器和电信电源中,它能够提供稳定的电压转换;在LED照明和工业控制系统中,它确保高效的电能转换和控制。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于其高功率输出,必须注意散热问题,以避免过热。
    2. 电路布局:在设计电路时,应考虑低寄生电感和有效的接地平面设计,以减少杂散电感的影响。
    3. 保护措施:建议在电源线路上增加保护电路,如瞬态电压抑制器,以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    K5A60DA4 具备良好的互操作性,可以轻松集成到现有的电力电子系统中。厂商提供全面的技术支持和服务,包括应用指南、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下运行不稳定 | 确保散热良好,使用散热器或散热片加强冷却效果。 |
    | 开关频率过高导致功耗大 | 调整栅极驱动信号,减小开关频率,选择合适的栅极电阻值。 |
    | 寿命缩短 | 定期检查并更换老化部件,保证工作条件在绝对最大额定值以内。 |

    总结和推荐


    K5A60DA4 功率MOSFET凭借其出色的性能指标、可靠性和广泛的应用范围,在高功率电子系统中表现卓越。其独特的低损耗和高效能特点使其成为许多应用中的理想选择。因此,我们强烈推荐 K5A60DA4 用于需要高效能和稳定性的电力转换应用中。
    希望这份技术手册对您有所帮助。如需进一步了解或获取更多技术支持,请随时联系我们。

K5A60DA4-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A60DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A60DA4-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A60DA4-VB K5A60DA4-VB数据手册

K5A60DA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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