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60N03P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: 60N03P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60N03P-VB

60N03P-VB概述

    60N03P-VB MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    60N03P-VB 是一款 N 沟道 30V(D-S)MOSFET,属于低压功率 MOSFET 类型。其主要功能是用于电源管理、电机控制及其它需要高效电流开关的应用领域。这款 MOSFET 具备高性能和高可靠性,特别适用于对尺寸和效率有严格要求的设计场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - Drain-Source Voltage (VDS): 30 V
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±20 V
    - 电流参数
    - Continuous Drain Current (ID): 70 A
    - Pulsed Drain Current (IDM): 250 A
    - Forward Transconductance (gfs): 100 S @ VDS = 15 V, ID = 15 A
    - 电阻参数
    - On-State Drain-Source Resistance (RDS(on)): 0.007 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A
    - On-State Drain-Source Resistance (RDS(on)): 0.010 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A (TJ = 125 °C)
    - On-State Drain-Source Resistance (RDS(on)): 0.014 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A (TJ = 175 °C)
    - 热参数
    - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA): 50 °C/W (PCB Mount)
    - Junction-to-Case (Drain) Thermal Resistance (RthJC): 1.6 °C/W
    - 其他电气特性
    - Input Capacitance (Ciss): 95 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
    - Output Capacitance (Coss): 260 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
    - Reverse Transfer Capacitance (Crss): 10 pF @ VGS = 10 V, VDS = 20 V, ID = 50 A
    - Total Gate Charge (Qg): 46-75 nC @ VGS = 10 V, VDS = 20 V, ID = 50 A

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率 MOSFET:采用先进的 TrenchFET® 技术,确保低导通电阻和高效的开关性能。
    - 低热阻封装:TO-220AB 封装具有较低的热阻,有助于热量的有效散逸,从而提高器件的可靠性和稳定性。
    - 100% 测试:保证所有产品都经过 Rg 和 UIS 测试,确保产品质量和一致性。
    - 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下稳定工作,适用范围为 -55°C 到 +175°C。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:可用于各种开关电源电路中,特别是在需要高效电流切换的应用中。
    - 电机驱动:适用于各种电机驱动电路,尤其是那些对发热和能效有较高要求的应用。
    - 推荐使用建议:在设计时考虑良好的散热设计,以确保长时间运行的稳定性和可靠性。可采用适当的散热片或其他冷却措施,确保设备能在正常温度范围内工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准 TO-220AB 封装的 MOSFET 具有很好的互换性,适用于广泛的电路设计。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和应用指南,可通过服务热线(400-655-8788)获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热
    - 解决方案:增加散热片,或者选择更高热阻的产品型号。
    - 问题2:开启延迟时间长
    - 解决方案:调整门极电阻,选择更低 Rg 的产品,或采用更好的驱动电路设计。
    - 问题3:电流波动大
    - 解决方案:检查电源供应和负载条件,确保供电稳定,负载在额定范围内。

    总结和推荐


    60N03P-VB MOSFET 在性能参数上表现出色,具备优异的导电性能和耐高温能力,适用于多种电力电子应用。考虑到其卓越的热管理和高效能表现,强烈推荐在关键电力电子设计中使用。其可靠的制造工艺和完善的测试流程确保了其在工业应用中的稳定性和长期可靠性。

60N03P-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

60N03P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60N03P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60N03P-VB 60N03P-VB数据手册

60N03P-VB封装设计

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