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UF640V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: UF640V-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF640V-VB

UF640V-VB概述

    N-Channel 200V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET),采用TrenchFET®技术制造。这类产品主要用于电源转换和驱动电路,是许多高功率应用的关键组件。它的主要功能是作为开关,特别适合于脉冲宽度调制(PWM)系统。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS): 200V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): 在VDS = 200V时,IDSS ≤ 50μA (TJ = 125°C),IDSS ≤ 250μA (TJ = 175°C)

    - 电流参数
    - 持续漏电流 (ID): TC = 25°C 时,ID = 100A;TC = 125°C 时,ID = 70A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 12A
    - 最大雪崩能量 (EAS): 20mJ (L = 0.1mH)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10V, ID = 3A 时,RDS(on) ≤ 0.070Ω (TJ = 125°C);VGS = 10V, ID = 3A 时,RDS(on) ≤ 0.130Ω (TJ = 175°C)
    - 热参数
    - 热阻抗 (RthJA): 15°C/W(最大值)
    - 最大功耗 (PD): TC = 25°C 时,PD = 126W
    - 温度参数
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55°C 到 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受性: 能够承受高达175°C的结温,使其适用于恶劣的工作环境。
    - PWM优化: 专为脉冲宽度调制(PWM)系统优化,适合需要高频切换的应用。
    - RoHS合规: 符合RoHS Directive 2002/95/EC标准,环保且可广泛应用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 适用于各种高功率应用,如开关电源、马达控制、电池充电电路和逆变器。
    - 使用建议: 使用时需确保散热良好,避免长时间过载,以延长产品寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与多种电路设计兼容,尤其适合与PWM控制器配合使用。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的漏电流如何处理?
    - 解决方案: 检查负载和电路连接,确保不发生短路。必要时增加散热措施,降低结温。

    - 问题2: 开关频率过高导致发热严重怎么办?
    - 解决方案: 适当减小开关频率,选择更高效的冷却方案,如加装散热片或风扇。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET 以其高可靠性、出色的性能和广泛的适用性,成为高功率应用的理想选择。它在高温环境下的稳定表现,使其在众多竞争者中脱颖而出。强烈推荐此款产品用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

UF640V-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF640V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF640V-VB数据手册

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UF640V-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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