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K1957-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K1957-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1957-VB

K1957-VB概述

    K1957-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1957-VB 是一款 N-通道 200V 的 MOSFET,适用于多种高压隔离和高功率密度的应用场景。其主要功能包括出色的热阻特性、动态 dV/dt 评级、高耐压隔离以及宽温度范围下的稳定性。此款 MOSFET 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域。

    2. 技术参数


    以下是 K1957-VB MOSFET 的关键技术和性能参数:
    - 基本规格:
    - 漏源电压 (VDS):200 V
    - 最大漏极电流 (IDM):32 A
    - 连续漏极电流 (ID):6.5 A(当 TC = 100°C)
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS):36 mJ
    - 最大结温 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 静态特性:
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):25 µA(VDS = 200 V,VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.265 Ω(VGS = 10 V,ID = 4.3 A)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):560 pF
    - 输出电容 (Coss):未提供
    - 总栅极电荷 (Qg):16 nC
    - 开关时间:导通延迟时间 (td(on)):8 ns;关断延迟时间 (td(off)):-19 ns;上升时间 (tr):30 ns;下降时间 (tf):20 ns

    3. 产品特点和优势


    K1957-VB MOSFET 具有以下显著特点和优势:
    - 高电压隔离:高达 2.5 kVRMS,确保安全操作。
    - 低热阻:有助于提高效率和可靠性。
    - 宽工作温度范围:能在 -55°C 到 +175°C 的温度范围内稳定运行。
    - 动态 dV/dt 评级:支持快速变化的电压。
    - 无铅封装:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    K1957-VB MOSFET 在多种高压应用场景中表现出色,例如:
    - 电源转换器:用于高频逆变器和整流器。
    - 电机驱动:适用于需要高压隔离的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计以充分利用其低热阻特性。
    - 考虑到动态 dV/dt 评级,应选择合适的驱动电路以避免过压情况。
    - 确保电路布局符合低杂散电感的要求,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K1957-VB MOSFET 与其他标准组件高度兼容,适用于大多数现有系统。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格变更通知、技术支持热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    A: 通过优化散热设计,如增加散热片、使用大尺寸 PCB 和保持良好空气流通。

    - Q: 如何防止栅极损坏?
    A: 使用合适的栅极电阻和保护电路,确保 VGS 不超过额定值。

    7. 总结和推荐


    K1957-VB N-Channel 200V MOSFET 在高电压和高温环境下表现出卓越的性能和稳定性,是高压应用的理想选择。其独特的功能和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐使用这款 MOSFET 以提升系统的可靠性和性能。

K1957-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1957-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1957-VB数据手册

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K1957-VB封装设计

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