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K2885S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2885S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2885S-VB

K2885S-VB概述

    K2885S N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2885S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,主要用于 OR-ing 应用、服务器及直流到直流转换器等场合。其采用 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻和高电流承载能力的特点。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 100°C时为 3.25A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 雪崩击穿电流 \( I{AS} \): 39A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 94.8mJ
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.5V 至 2.0V
    - 源漏二极管最大连续电流 \( IS \): 50A
    - 功率耗散 \( PD \): 100W(在25°C时)
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 32°C/W(瞬态条件下)
    - 最大结点到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.5°C/W(稳态条件下)
    - 静态特性:
    - 漏源关断电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时为 0.007Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 时为 0.009Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2201pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 525pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 370pF
    - 动态特性:
    - 总门极电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{DS} = 15V \), \( V{GS} = 10V \), \( ID = 21.8A \) 时为 35nC 至 45nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \):
    - \( V{DD} = 15V \), \( RL = 0.625Ω \) 时为 18ns 至 27ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \):
    - \( V{DD} = 15V \), \( RL = 0.67Ω \) 时为 55ns 至 83ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 可低至 0.007Ω,使器件在高电流应用中具有极高的效率。
    - 高雪崩耐受能力:支持高达 94.8mJ 的单脉冲雪崩能量,适用于高压应用。
    - 快速开关特性:总门极电荷 \( Qg \) 低,且具有较短的开启和关闭延迟时间,适合高频应用。
    - RoHS 符合性:所有参数均符合 RoHS 指令 2011/65/EU,确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - OR-ing 应用:可用于电源冗余设计,以提高系统的可靠性。
    - 服务器:用于高性能计算中心,需要高效能的电源管理。
    - DC/DC 转换器:适用于各种电源模块,提供高效的电能转换。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,需要确保良好的散热条件,以防止过热。
    - 为了实现最佳性能,应选择合适的门极驱动电压和电流,以避免开关损耗。
    - 对于高频应用,注意控制寄生电感和电容的影响,确保稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - K2885S 可以与标准 TO-252 封装的其他元件兼容,易于集成到现有系统中。

    - 支持:
    - VBsemi 提供详细的技术文档和支持,包括安装指南和故障排除手册。
    - 服务热线: 400-655-8788

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下如何保持稳定性?
    - A: 确保良好的散热措施,例如使用散热片或冷却风扇,以维持适当的温度。

    - Q: 如何降低开关损耗?
    - A: 通过选择合适的门极电阻和优化门极驱动信号来降低开关损耗。

    - Q: 如何判断器件是否损坏?
    - A: 使用万用表检测 \( V{DS} \) 和 \( ID \),并与规格书中的值对比,如果显著偏离则可能存在故障。

    总结和推荐


    K2885S N 沟道 MOSFET 是一款高效可靠的电子元器件,特别适合在高电流和高频应用中使用。其低导通电阻、高雪崩耐受能力和快速开关特性使其成为许多电力电子系统的理想选择。鉴于其优秀的性能和广泛应用,我们强烈推荐使用这款产品。
    是否推荐使用:
    是。因其优异的性能、可靠性和广泛的应用范围,K2885S 是高性能电力电子应用的理想选择。

K2885S-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2885S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2885S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2885S-VB K2885S-VB数据手册

K2885S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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