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VS30P60AD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: VS30P60AD-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VS30P60AD-VB

VS30P60AD-VB概述

    VS30P60AD P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VS30P60AD 是一种 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用场合。它的主要特点是具有 30V 的漏源电压(VDS)和低导通电阻(RDS(on))。这些特性使其成为开关电源、马达驱动器、负载切换等应用的理想选择。该产品由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产,并且完全符合 RoHS 和无卤素标准。

    2. 技术参数


    VS30P60AD 的关键技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -70 | - A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -240 | - A |
    | 反复雪崩电流 | IAR | -60 | - A |
    | 雪崩能量 | EAR | - 180 | mJ |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.009 0.013 | Ω (at VGS=-10V) |
    | 输入电容 | CISS | - 4000 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - 1565 | pF |
    | 逆向传输电容 | CRSS | - 715 | pF |
    | 总栅极电荷 | QG | 160 240 | nC |
    | 栅源电荷 | QGS | 32 | - | - | nC |
    | 栅极充电时间 | TD(ON) | 25 40 | ns |

    3. 产品特点和优势


    VS30P60AD 的主要特点包括:
    - 高可靠性:绝对最大额定值和典型值确保产品在各种环境下的稳定运行。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = -10V 时为 0.009Ω,有助于降低功耗并提高效率。
    - 无卤素和 RoHS 合规:适用于环保要求高的应用领域。
    - 宽工作温度范围:可以在 -55°C 到 175°C 的温度范围内正常工作。

    4. 应用案例和使用建议


    VS30P60AD 广泛应用于:
    - 开关电源:利用其低导通电阻的特点,有效减少功率损耗。
    - 马达驱动器:能够承受高电流和电压波动,保证稳定的电机控制。
    - 负载切换:快速响应时间和低导通电阻使其在负载切换应用中表现优异。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高电流可能导致发热,建议使用合适的散热片以避免热失控。
    - 电路设计:在设计电路时,需要考虑 VDS 的最大值和最小值,确保 MOSFET 在整个工作范围内都能可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    VS30P60AD 采用 TO-252 封装,易于集成到现有的 PCB 设计中。VBsemi 提供了详尽的技术支持和客户服务,包括在线资料库、技术支持热线和专业培训。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 使用散热片,并优化电路设计以减少热量产生。
    - 问题: 工作温度超出规定范围。
    - 解决方案: 在极端环境下使用额外的散热措施,如风扇或水冷系统。

    7. 总结和推荐


    VS30P60AD P-Channel MOSFET 在高可靠性、低功耗和广泛的温度适应性方面表现出色。其独特的特点和广泛的应用领域使其成为许多电子设备的理想选择。强烈推荐用于需要高性能和可靠性的应用场景。
    如需了解更多详情和技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

VS30P60AD-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.71V
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,12mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VS30P60AD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VS30P60AD-VB数据手册

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VS30P60AD-VB封装设计

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