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K3069-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: K3069-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3069-VB

K3069-VB概述

    # K3069-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3069-VB 是一款由VBsemi公司生产的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备出色的热性能和低导通电阻,适用于广泛的电源管理、电机驱动和其他电力转换应用。这种MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C): 120 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 350 A
    - 最大功率耗散 (TJ = 25 °C): 136 W
    - 热阻率 (稳态): 40 °C/W (最大值)
    - 工作温度范围: -55 °C 至 175 °C
    额定参数 (TJ = 25 °C)
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2 V 至 4 V
    - 栅体漏电 (IGSS): ± 100 nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 60 V)
    - 导通漏极电流 (ID(on)): 60 A (VDS = 5 V, VGS = 10 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 5 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:能够在高达175°C的结温下工作,适用于高温环境下。
    2. 低导通电阻:导通电阻低至5 mΩ,显著降低功率损耗。
    3. 热性能优越:具有较低的热阻率,便于散热。
    4. 快速开关性能:优秀的动态特性使得它在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3069-VB MOSFET 广泛应用于电机驱动、电池充电器和DC-DC转换器等领域。例如,在电机驱动应用中,它的低导通电阻和快速开关性能可以显著提高系统的效率。
    使用建议
    - 在设计电路时,要确保散热措施到位,避免因过热导致器件损坏。
    - 选择合适的栅极驱动电阻以减少开关损耗。
    - 根据应用需求选择合适的散热方案,比如使用散热片或散热器。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K3069-VB 可以与其他标准 TO-220 封装的 MOSFET 兼容,方便替换现有设计中的其他品牌产品。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术咨询,帮助客户优化设计方案并解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 散热不足:长时间工作会导致结温过高,影响使用寿命。
    2. 噪声干扰:快速开关过程中会产生噪声干扰。
    解决方案
    1. 散热措施:使用散热片、散热器或者增强PCB散热能力。
    2. 噪声抑制:增加滤波电路或者选择带有良好EMC特性的产品。

    总结和推荐


    K3069-VB N-Channel MOSFET是一款高效、可靠的电力转换器件。它以其卓越的热性能和低导通电阻,非常适合在各种高功率应用中使用。对于需要高性能、高可靠性的客户来说,这款产品是一个非常不错的选择。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用场景中。

K3069-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3069-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3069-VB数据手册

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K3069-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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