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MTB60N06HDT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: MTB60N06HDT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MTB60N06HDT4G-VB

MTB60N06HDT4G-VB概述

    MTB60N06HDT4G N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    MTB60N06HDT4G 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,具有极高的性能和可靠性。它采用了TrenchFET技术,能够在高达175°C的结温下稳定工作。该产品适用于多种电力电子应用,如电源转换器、电机驱动、电动汽车充电系统等。

    技术参数


    以下是MTB60N06HDT4G的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):
    - TC = 25°C 时为 75A
    - TC = 100°C 时为 50A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200A
    - 持续源电流(二极管导通): 50A
    - 单次雪崩电流(占空比≤1%): 50A
    - 单次雪崩能量(电感 L = 0.1 mH): 125 mJ
    - 最大功耗(TC = 25°C): 136W
    - 热阻抗(稳态): RthJA = 40°C/W
    - 静态规格:
    - 漏源击穿电压(VDS): 60V
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 1V 至 3V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):
    - VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125°C 时为 50µA
    - VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 175°C 时为 250µA
    - 开启状态漏极电流(ID(on)): VDS = 5V, VGS = 10V 时为 60A
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 20A 时为 11mΩ
    - VGS = 10V, ID = 20A, TJ = 125°C 时为 16mΩ
    - VGS = 10V, ID = 20A, TJ = 175°C 时为 20mΩ
    - 动态规格:
    - 输入电容(Ciss): VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 时为 4300pF
    - 输出电容(Coss): 470pF
    - 反向转移电容(Crss): 225pF
    - 总栅极电荷(Qg): VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 50A 时为 47nC

    产品特点和优势


    1. 高耐热性: 结温高达175°C,适合高温环境下的应用。
    2. 低导通电阻: 在不同温度和工作条件下均保持较低的导通电阻,提高了能效。
    3. 快速开关特性: 具备优秀的开关速度,降低开关损耗,提高效率。
    4. 高可靠性和稳定性: 采用TrenchFET技术,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: MTB60N06HDT4G 在高压直流(HVDC)转换器、电池充电器和电动机驱动系统中表现优异。
    - 使用建议: 在设计电路时,确保散热片尺寸足够大,以帮助散热。使用合适的驱动电路以减少栅极电荷的累积,从而降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: MTB60N06HDT4G 支持与各种标准电路板设计兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持: 台湾VBsemi公司提供详尽的技术支持,包括详细的用户手册、应用指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动电阻和优化驱动信号,以减少开关损耗。
    - 问题: 温度过高。
    - 解决方案: 确保足够的散热措施,使用散热片或风冷/水冷系统。

    总结和推荐


    MTB60N06HDT4G 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备出色的耐热性、低导通电阻和快速开关特性。其卓越的性能使其成为电力电子应用的理想选择。强烈推荐在高压和高功率应用中使用这款产品。如果您需要进一步的帮助或支持,请联系台湾VBsemi公司的技术支持团队。

MTB60N06HDT4G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 75A
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MTB60N06HDT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MTB60N06HDT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MTB60N06HDT4G-VB MTB60N06HDT4G-VB数据手册

MTB60N06HDT4G-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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