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UT4810D-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4810D-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4810D-S08-R-VB

UT4810D-S08-R-VB概述


    产品简介




    本文档将详细介绍一款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的产品手册。该产品属于功率MOSFET系列,具有低导通电阻和高效率的特点。主要应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关,适用于需要高效能电源管理的应用场景。


    技术参数




    以下是该产品的详细技术参数列表:

    - 额定电压(VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流(ID):13 A(在TC = 25°C时)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.008 Ω(在VGS = 10 V时),0.011 Ω(在VGS = 4.5 V时)
    - 总栅极电荷(Qg):6.1 nC(在VGS = 10 V时),2.3 nC(在VGS = 5 V时)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):800 pF(在VDS = 15 V时)
    - 输出电容(Coss):165 pF
    - 反向传输电容(Crss):73 pF
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 最大脉冲栅源电压(VGS):± 20 V
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):20 A
    - 最大稳态功率耗散(PD):4.1 W(在TC = 25°C时)


    产品特点和优势




    该款N-Channel 30-V MOSFET具备以下特点和优势:

    - 环保材料:采用无卤素材料,符合RoHS和无卤素标准。
    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试保证了产品的质量和可靠性。
    - 高效率:优化的高边同步整流操作使得功耗更低,效率更高。
    - 宽工作温度范围:可以在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作。


    应用案例和使用建议




    这款MOSFET广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关。在实际应用中,需要确保其在特定的电路布局和冷却条件下正确安装和使用。例如,在PCB设计时,应考虑散热措施以确保达到最佳性能。建议在选择外围元件时,尽量减少寄生电容和电感的影响,从而提高整体电路的效率。


    兼容性和支持




    该产品采用SO-8封装,具有广泛的适用性。厂商提供了详尽的技术支持和维护信息,包括详细的安装指南和技术咨询。对于任何与该产品相关的疑问,可以通过服务热线400-655-8788获取帮助。


    常见问题与解决方案




    在使用过程中,用户可能会遇到以下问题及其解决方案:

    - 问题:产品在高电流条件下过热。
    - 解决方案:增加散热片或外部风扇进行散热,确保在规定的温度范围内运行。
    - 问题:漏源导通电阻异常。
    - 解决方案:检查焊接质量,确保栅极驱动电压设置正确。
    - 问题:栅极漏电流过大。
    - 解决方案:检查栅极电阻是否合理,适当增加栅极电阻以降低漏电流。


    总结和推荐




    综合来看,该款N-Channel 30-V MOSFET在笔记本电脑CPU核心的高边开关应用中表现出色,具备出色的性能和可靠性。它的无卤素材料和高效的高边同步整流能力使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐该产品用于需要高效电源管理的应用场景。

UT4810D-S08-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 15V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4810D-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4810D-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4810D-S08-R-VB UT4810D-S08-R-VB数据手册

UT4810D-S08-R-VB封装设计

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