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K4213-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K4213-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4213-E1-AY-VB

K4213-E1-AY-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的TrenchFET® Power MOSFET,主要应用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等领域。其卓越的设计和制造工艺使其在功率管理应用中表现优异。
    主要功能
    - 支持高电流和低导通电阻。
    - 具有高可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS规范。
    应用领域
    - 电源管理系统
    - 数据中心设备
    - 工业控制装置

    技术参数


    以下为该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 30 | V |
    | 导通电阻(典型值) | 0.002 | Ω |
    | 持续漏极电流 | 100 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 300 | A |
    | 静态阈值电压 | 1.5 至 2.5 | V |
    | 输入电容 | 520 | pF |
    | 输出电容 | 1525 | pF |
    | 反向传输电容 | 770 | pF |
    | 总栅极电荷 | 151 至 227 | nC |
    工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    热阻抗:最大结到壳体稳态热阻为 0.5°C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高可靠性:通过100% Rg 和UIS测试,确保长期稳定运行。
    2. 低功耗设计:低导通电阻和高效开关能力显著降低系统能耗。
    3. 环保合规:符合RoHS标准,无卤素材料,绿色环保。
    市场竞争力
    - 在相同尺寸下提供更高的电流密度。
    - 出色的开关速度和热管理性能,适合高效率的应用场景。
    - 易于焊接和集成,简化了电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. OR-ing电路:用于多个电源之间的无缝切换,避免电源间冲突。
    2. 服务器电源管理:优化服务器电源模块的功率分配和负载平衡。
    3. DC/DC转换器:提高转换效率,减少热量产生。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计以维持性能。
    - 结合外部驱动电路优化栅极电荷分布,进一步提升开关速度。
    - 定期检查温度传感器和冷却系统,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 可直接替换市场上常见的其他N-Channel MOSFET型号。
    - 支持主流的PCB布局工具和仿真软件。
    支持与维护
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务。
    - 提供详细的文档和技术指导,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 加强散热措施,确保良好的空气流通。 |
    | 导通电阻增大 | 检查焊接质量,确保连接牢固。 |
    | 栅极驱动不足 | 调整驱动电路,增加栅极电荷供给。 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高可靠性,适用于恶劣工作环境。
    - 极低的导通电阻和高效的开关性能。
    - 绿色环保,符合RoHS标准。
    - 不足:
    - 对散热设计要求较高,在极端温度条件下可能需要额外的冷却措施。
    推荐意见
    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率半导体器件,非常适合现代电子设备中对高效率和低功耗需求的场景。推荐用于服务器、数据中心和其他工业控制领域。
    如有更多疑问,可联系我们的技术支持团队,获取专业指导和服务。
    服务热线:400-655-8788
    官网链接:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

K4213-E1-AY-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4213-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4213-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4213-E1-AY-VB K4213-E1-AY-VB数据手册

K4213-E1-AY-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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