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K2689-01MR_05-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2689-01MR_05-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2689-01MR_05-VB

K2689-01MR_05-VB概述

    K2689-01MR05-VB N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K2689-01MR05-VB 是一款高性能的 N 沟道 30-V (D-S) 肖特基功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造。它主要适用于电源管理、OR-ing 应用、服务器及直流转换(DC/DC)等领域。产品具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,能有效提高系统效率并降低功耗。

    2. 技术参数


    以下是 K2689-01MR05-VB 的关键技术规格:
    - 额定电压:VDS = 30 V
    - 连续漏极电流:ID = 68 A(@ TA = 25°C),ID = 62 A(@ TA = 70°C)
    - 最大漏源导通电阻:RDS(on) = 0.0010 Ω(@ VGS = 10 V,ID = 28.8 A),RDS(on) = 0.0014 Ω(@ VGS = 4.5 V,ID = 27 A)
    - 栅极电荷:Qg(Typ.) = 82 nC(@ VGS = 10 V),Qg(Typ.) = 123 nC(@ VGS = 4.5 V)
    - 热阻抗:RthJA(Typ.) = 32 °C/W,RthJC(Typ.) = 0.5 °C/W
    - 工作温度范围:TJ = -55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高效能 TrenchFET® 技术:通过先进的沟槽技术显著降低了导通电阻,提升了开关速度。
    - 可靠性保证:所有产品均经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保产品的耐用性和稳定性。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令 2011/65/EU,绿色环保无铅设计。

    4. 应用案例和使用建议


    K2689-01MR05-VB MOSFET 在多种应用场景中表现出色:
    - OR-ing 应用:用于负载切换,能承受大电流且快速响应。
    - 服务器电源管理:适合高频、高效率的服务器电源设计。
    - DC/DC 转换器:提升系统效率,减少热量产生。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑热管理和散热措施,以避免过热现象。
    - 结合实际负载需求选择合适的驱动电压(如 VGS = 10 V 或 4.5 V),以获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    K2689-01MR05-VB 与主流 PCB 设计高度兼容,支持标准 TO-220 Fullpak 封装。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可拨打服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 加强散热设计,使用更大的散热片或外部风扇。 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查焊接质量,确认引脚连接正确无误。 |
    | 开关时间不符合预期 | 调整驱动电压至推荐值(10 V 或 4.5 V)。 |

    7. 总结和推荐


    K2689-01MR05-VB 是一款性能卓越、可靠性强的 N 沟道 MOSFET,非常适合高效率电源管理场景。其低导通电阻、高电流承载能力和紧凑封装使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐用于需要高性能和可靠性的电子设备中。

K2689-01MR_05-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2689-01MR_05-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2689-01MR_05-VB数据手册

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