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65F6193-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 65F6193-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65F6193-VB

65F6193-VB概述


    产品简介


    65F6193-VB N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET
    65F6193-VB是一款具有超级结结构的高压N沟道功率MOSFET,适用于多种电源管理应用。该器件设计用于提高效率和减少损耗,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明领域(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 650 | V |
    | 开启电阻 | 0.19 | Ω |
    | 总栅极电荷 | 71 | nC |
    | 输入电容 | 2322 | pF |
    | 输出电容 | 105 | pF |
    | 反向传输电容 | 4 | pF |
    | 零门电压漏极电流 | 1 | μA |
    | 高温漏极电流 | 500 | μA |
    | 最大功率耗散 | 200 | W |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压 | 650 | V |
    | 漏源电压上升斜率 | 50 | V/ns |
    | 峰值焊接温度 | 300 | °C |

    产品特点和优势


    - 低损耗和高效率:通过低开启电阻和低栅极电荷实现了低损耗和高效率,适合高频应用。
    - 出色的动态性能:具备较低的输入电容和输出电容,可实现快速开关,降低功耗。
    - 可靠性高:能够承受反复的单脉冲雪崩能量,确保在恶劣条件下稳定运行。
    - 适应性强:广泛应用于多种电力电子产品中,如电源适配器、照明系统等。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源:利用其高效能和低损耗特性,65F6193-VB可以显著提升服务器电源系统的整体效率。
    - LED照明:特别适用于高压LED驱动器,因其高耐压能力和低损耗特性。
    - 通信电源:适用于电信基础设施中的开关电源,实现小型化、高效率的设计。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高功率耗散,需要良好的散热管理,确保结温不超出限定范围。
    - 电路布局:在电路板上合理布局,以减少寄生电感和电容的影响,提高整体性能。

    兼容性和支持


    65F6193-VB采用TO-220 Fullpak封装,具备良好的机械强度和热性能。其兼容其他标准电源模块,并且制造商提供全面的技术支持和产品文档,确保客户在开发过程中得到充分帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高温下性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热措施,选择合适的散热片和冷却方案。
    - 问题:开关损耗较大
    - 解决方案:优化驱动电路设计,降低开关频率并增加栅极电阻以控制关断速度。

    总结和推荐


    65F6193-VB凭借其高效的功率转换能力、高可靠性和广泛的适用范围,在现代电力电子产品中展现出强大的竞争力。特别是在需要高电压、大功率的应用场合,其性能表现尤为突出。因此,我们强烈推荐这款产品给需要高性能功率MOSFET的工程师和技术人员。
    这篇文章综合了技术手册中的详细信息,涵盖了产品的主要特性和应用情况,并提供了实用的建议和解决方案,旨在为潜在用户提供全面的产品信息。

65F6193-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

65F6193-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65F6193-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65F6193-VB 65F6193-VB数据手册

65F6193-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
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