处理中...

首页  >  产品百科  >  K1605-VB

K1605-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K1605-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1605-VB

K1605-VB概述


    产品简介


    本产品是一款高性能的N-Channel MOSFET,适用于多种电力转换应用,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源等。该MOSFET具有低栅极电荷(Qg)特性,这有助于简化驱动需求,并具备增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。这些特性使得该产品特别适合于高效率、高速功率开关的应用场合。

    技术参数


    - 电压等级:最大漏源电压(VDS)为600V。
    - 导通电阻:当VGS为10V时,RDS(on)的最大值为0.780Ω。
    - 总栅极电荷:Qg max.为49nC。
    - 输入电容:Ciss典型值为1400pF。
    - 栅极-漏极电荷:Qgd为20nC。
    - 工作温度范围:存储及操作温度范围为-55°C至+150°C。
    - 绝对最大额定值:最高结点到外壳热阻(RthJC)为0.75°C/W;最高结点到环境热阻(RthJA)为62°C/W;单脉冲雪崩能量(EAS)为290mJ。

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:简化了驱动电路的设计。
    2. 增强的耐用性:针对栅极、雪崩和dv/dt提供了更好的保护。
    3. 精确的参数特性:完全测试了雪崩电压和电流等关键参数。

    应用案例和使用建议


    本产品在多个领域有着广泛应用,例如在开关模式电源(SMPS)中作为主开关使用。考虑到其高雪崩能力和高速开关特性,适合用于需要快速响应和耐高压的应用环境。用户应注意在设计驱动电路时考虑低栅极电荷带来的好处,以提高整个系统的效率。

    兼容性和支持


    制造商提供了详细的热阻参数和其他技术支持文档,确保产品在不同应用场景下的兼容性和可靠性。此外,厂家还提供详细的焊接建议和技术支持,帮助客户更好地应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何优化栅极驱动以减少开关损耗?
    - 解决方法:可以调整栅极电阻(Rg)来优化驱动信号的上升和下降时间,以降低开关损耗。

    - 问题二:产品在高温环境下的表现如何?
    - 解决方法:根据热阻参数(RthJC),合理选择散热片并确保良好的散热条件,以保证产品在高温下的稳定运行。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel MOSFET以其卓越的耐用性和低栅极电荷特性,在电力转换应用中表现出色。对于追求高效能、高可靠性的工程师而言,它是一个值得考虑的选择。强烈推荐使用此产品进行高要求的应用开发。

K1605-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1605-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1605-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1605-VB K1605-VB数据手册

K1605-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504