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UT5003L-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: UT5003L-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT5003L-S08-R-VB

UT5003L-S08-R-VB概述

    UT5003L-S08-R N- and P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT5003L-S08-R 是一款适用于多种电子应用的 N-和 P-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻和高可靠性,广泛应用于移动电源和其他类似设备。MOSFET 型号为 UT5003L-S08-R,封装形式为 SO-8,提供多种电气特性和卓越的热管理性能。

    技术参数


    - 漏源电压:30 V
    - 栅源电压:± 20 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):
    - N-通道:6.8 A
    - P-通道:6.6 A
    - 脉冲漏电流(10 µs 脉宽):40 A
    - 最大零栅电压漏电流(TJ = 55 °C):
    - N-通道:10 µA
    - P-通道:-10 µA
    - 栅-体泄漏电流(VDS = 0 V, VGS = ± 12 V):
    - N-通道:± 100 nA
    - P-通道:± 100 nA
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):
    - N-通道:3.1 W
    - P-通道:3.2 W
    - 工作温度范围:-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    1. Halogen-free:符合 IEC 61249-2-21 定义,确保环保无卤素。
    2. TrenchFET® Power MOSFET:先进的沟槽式结构,保证低导通电阻和高效能。
    3. 高可靠性和稳定性:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品稳定运行。
    4. 全面支持 RoHS 指令:符合 2002/95/EC 指令,满足欧洲环保要求。

    应用案例和使用建议


    UT5003L-S08-R 广泛应用于移动电源、电机驱动等领域。根据手册中的应用示例,该产品特别适合用于需要高效率和低功耗的应用场景。
    - 移动电源:该产品可用于电池充电器和电源管理系统,确保高效的能量转换和管理。
    - 电机驱动:UT5003L-S08-R 的高耐压和低导通电阻特性使其成为电机驱动系统中的理想选择。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑合适的栅极电阻值以优化开关速度和减少损耗。
    - 需要充分考虑散热设计,特别是在高电流条件下,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    UT5003L-S08-R 采用标准 SO-8 封装,易于集成到各种 PCB 设计中。制造商提供了详细的技术支持和维护文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备工作时出现高温。
    - 解决办法:检查散热设计,增加散热片或改善空气流通。

    - 问题:设备启动时响应慢。
    - 解决办法:优化栅极电阻值,确保快速开关性能。

    总结和推荐


    UT5003L-S08-R N- and P-Channel MOSFET 在设计上表现出色,具备出色的电气特性和优异的热管理性能。它不仅能够满足各类应用需求,还能显著提高系统效率和可靠性。强烈推荐在高效率和紧凑设计要求的场合使用。

    本文档提供了 UT5003L-S08-R 的全面技术规格和使用指南,确保您在选择和使用该产品时能够充分利用其潜力。

UT5003L-S08-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT5003L-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT5003L-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT5003L-S08-R-VB UT5003L-S08-R-VB数据手册

UT5003L-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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