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WFP5N60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: WFP5N60B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP5N60B-VB

WFP5N60B-VB概述

    高性能N-Channel MOSFET 技术手册解读

    一、产品简介


    WFP5N60B 是一款高性能的N-Channel功率MOSFET,专为开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)等高要求应用设计。其主要特点包括低门极电荷(Qg)、增强的门极抗浪涌能力、雪崩电压及电流全特性标定,能够满足多种离线SMPS拓扑结构的需求,例如主动钳位正激拓扑。这款产品在高温高压环境下依然表现出色,适用于各种严苛的工作条件。

    二、技术参数


    以下为WFP5N60B的技术参数表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 600 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.780 | - | Ω |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 49 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1400 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 7.1 | - | pF |
    | 最大脉冲雪崩能量 | EAS | - | 290 | - | mJ |
    | 最大重复雪崩电流 | IAR | - | 8.0 | - | A |
    | 最大重复雪崩能量 | EAR | - | 17 | - | mJ |
    | 绝对最大功率耗散 | PD | - | 170 | - | W |

    三、产品特点和优势


    1. 低门极电荷:Qg仅为49nC,显著降低了驱动电路的设计复杂度,同时提高了系统的能效。
    2. 增强的抗浪涌能力:具备出色的门极、雪崩及动态dV/dt鲁棒性,确保长时间稳定运行。
    3. 全面的电气特性测试:所有关键参数如Coss、EAS等均经过严格标定,保证了产品的可靠性和一致性。
    4. 广泛的应用场景:无论是高频开关还是重载环境,都能提供卓越的表现。
    四、应用案例与使用建议
    1. 典型应用:
    - 主要应用于SMPS主开关管,具有良好的热管理能力和高效率转换性能。
    - UPS系统中的桥式整流和逆变模块,可有效提升系统稳定性。
    2. 使用建议:
    - 在设计过程中需注意门极驱动电路的设计,避免过高的dv/dt导致不必要的功耗增加。
    - 确保良好的散热措施以维持正常工作温度范围(-55°C至+150°C),尤其是在高温环境下。

    五、兼容性和支持


    WFP5N60B与大多数主流控制器兼容,并且VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线问答社区和技术研讨会,帮助用户快速解决问题并优化设计方案。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查门极电阻设置是否合理 |
    | 过温保护频繁触发 | 改善散热设计 |
    | 输出波形不理想 | 调整门极驱动信号幅度和频率 |

    七、总结和推荐


    综上所述,WFP5N60B凭借其优异的性能参数、灵活的应用场景以及强大的技术支持,在众多功率MOSFET中脱颖而出。强烈推荐给需要高性能开关管的应用场合,特别是对空间有限但性能要求高的设计项目。通过合理的电路布局和有效的热管理策略,可以充分发挥其潜力,实现最佳效能输出。如果您正在寻找一款既经济又高效的解决方案,那么WFP5N60B将是您的理想选择!

WFP5N60B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP5N60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP5N60B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP5N60B-VB WFP5N60B-VB数据手册

WFP5N60B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.7636
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