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K6A50DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A50DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A50DA4-VB

K6A50DA4-VB概述

    K6A50DA4 Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K6A50DA4 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于开关模式电源(SMPS)、服务器和电信电源、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球泡)等领域。此MOSFET特别适用于工业应用中需要高效率、低损耗的场合。

    2. 技术参数


    K6A50DA4 的关键技术和规格如下:
    - 额定电压 (VDS):最高可达650V,在TJ最大值条件下为700V。
    - 最大漏极电流 (ID):25°C时可承受高达10A的连续电流;TJ = 150°C时可达40A。
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V、ID = 4A时,典型值为0.2Ω。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为24nC。
    - 输入电容 (Ciss):最大值为4000pF。
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):在VDS = VGS、ID = 250μA时,范围为2.5-5V。
    - 反向恢复时间 (trr):在TJ = 25°C、IF = IS = 4A、dI/dt = 100A/μs、VR = 400V时,最大值为190ns。

    3. 产品特点和优势


    - 低品质因数 (FOM):Ron x Qg值较低,有利于降低开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有助于减少栅极充电时间。
    - 减少的开关和导通损耗:这使得K6A50DA4在高频率下仍能保持良好的性能。
    - 超低栅极电荷 (Qg):改善了开关速度和能效。
    - 重复脉冲雪崩能量:具有一定的重复脉冲雪崩能量评级 (UIS),确保了可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    K6A50DA4 可广泛应用于多种场合,例如:
    - 服务器和电信电源:这些系统通常需要处理大量电流并保持高效能。
    - 开关模式电源 (SMPS):用于笔记本电脑、移动设备等消费电子产品中。
    - 工业应用:在需要精确控制电流和电压的自动化设备中表现出色。
    建议在使用K6A50DA4时,考虑系统的整体布局和散热设计以确保最佳性能和稳定性。此外,合理选择驱动电路和合适的栅极电阻也很关键。

    5. 兼容性和支持


    K6A50DA4 设计为与标准电源系统兼容,并且提供了详细的电气特性参数和驱动电路参考,便于用户进行二次开发。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问:如何选择合适的栅极电阻?
    答: 栅极电阻应根据具体应用需求选择,通常建议在20-100Ω之间以避免过度振荡。

    - 问:为什么K6A50DA4的栅极电容较大?
    答: 较大的栅极电容有助于减小开关损耗,提高能效,但可能需要更长的驱动时间。
    - 问:当系统负载发生变化时,K6A50DA4会受到影响吗?
    答: 系统负载的变化可能会影响MOSFET的工作状态,但通过适当的电路设计和保护措施可以有效应对。

    7. 总结和推荐


    总体而言,K6A50DA4 是一款性能优越、适用广泛的功率MOSFET。它具备低损耗、高效率的特点,适合于多种应用场景。经过严格测试和验证,该产品具有出色的可靠性和稳定性。因此,我们强烈推荐K6A50DA4给需要高性能电源管理解决方案的设计工程师。对于任何进一步的问题或技术支持需求,欢迎联系我们的客户服务团队。

K6A50DA4-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A50DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A50DA4-VB数据手册

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K6A50DA4-VB封装设计

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