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K3119-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K3119-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3119-VB

K3119-VB概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号为 K3119)是一种高性能的场效应晶体管,主要应用于负载开关和电池开关等领域。其独特的 TrenchFET® Power MOSFET 设计使得它在高电压和大电流环境下表现出色。P-Channel 30-V MOSFET 具备低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在各种复杂环境中稳定工作。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气参数:
    - 基本参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 (在 TJ = 150°C 下): 7.6A (25°C),5.8A (70°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 35A
    - 连续源漏二极管电流: 3.5A (25°C),2.1A (70°C)
    - 热阻抗参数:
    - 最大结点至环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W (最大)
    - 最大结点至引脚热阻 \( R{thJF} \): 24°C/W (最大)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): -30V (在 \( V{GS} = 0 \) V 和 \( ID = -250 \mu A \))
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): -1.0V 至 -2.5V (在 \( V{DS} = V{GS} \) 和 \( ID = -250 \mu A \))
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1μA (在 \( V{DS} = -30 \) V 和 \( V{GS} = 0 \) V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1355pF (在 \( V{DS} = -15 \) V 和 \( V{GS} = 0 \) V)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 145pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在 \( V{GS} = -10 \) V 和 \( ID = -7.0 \) A 下为 0.050Ω,在 \( V{GS} = -4.5 \) V 和 \( ID = -5.6 \) A 下为 0.056Ω。
    - 高可靠性:100% 经过 Rg 测试,确保产品质量。
    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 标准,无卤素设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于高电压和高电流环境下的负载管理。
    - 电池开关:适用于需要精确控制电池充放电的应用。
    - 使用建议:
    - 确保在使用时提供适当的散热措施以避免过热。
    - 使用时应严格遵守绝对最大额定值,避免超过额定范围。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种电路设计,特别是在需要高压和高电流的场合。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 过载导致的温度升高。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或风扇。
    - 问题 2: 电源波动导致的电流不稳定。
    - 解决方案: 使用稳压器保持电源稳定。
    - 问题 3: 电气连接不良导致的信号衰减。
    - 解决方案: 确保所有电气连接稳固,减少接触电阻。

    7. 总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET K3119 在高压、高电流应用中表现出色,具备低导通电阻和高可靠性的特点。其广泛的适用性和良好的技术支持使其成为众多应用的理想选择。对于需要高效、稳定开关性能的设计工程师而言,这款产品是值得推荐的。
    结语
    综上所述,P-Channel 30-V (D-S) MOSFET K3119 是一款适合高压和高电流应用的高性能产品。它在设计和制造过程中采用了先进的工艺,确保了出色的电气特性和可靠性。无论是用于负载开关还是电池管理,这款产品都能提供卓越的性能和稳定性。我们强烈推荐这一款优质的产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。

K3119-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Id-连续漏极电流 5.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3119-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3119-VB数据手册

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K3119-VB封装设计

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