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K3598-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K3598-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3598-01-VB

K3598-01-VB概述

    K3598-01-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3598-01-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 100-V (D-S) MOSFET,适用于需要高可靠性、低热阻和卓越性能的应用场合。该器件采用先进的TrenchFET® Power MOSFET工艺制造,具有优异的电气特性和稳定性,适用于多种工业、汽车和消费电子产品领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 连续漏极电流 (TC = 25°C) | ID | - | - | 55 | A |
    | 连续漏极电流 (TC = 125°C) | ID | - | - | 40 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 35 | A |
    | 反复雪崩电流 | IAR | - | - | 35 | A |
    | 反复雪崩能量 (L = 0.1 mH) | EAR | - | - | 61 | mJ |
    | 最大功耗 (TC = 25°C) | PD | - | - | 127 | W |
    | 最大功耗 (TA = 25°C) | PD | - | - | 3.75 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 结到环境热阻(安装在PCB上) | RthJA | - | - | 40 | °C/W |
    | 结到外壳(漏极)热阻 | RthJC | - | - | 1.4 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:K3598-01-VB 可在高达175°C的结温下工作,保证了在高温环境下的稳定性能。
    - 低热阻:热阻极低,有助于散热,提高系统的可靠性和效率。
    - 快速开关性能:具备快速的开关特性,适合高频应用。
    - 高击穿电压:耐压能力高达100V,适用于多种高压应用场景。
    - 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为0.036Ω,降低了损耗,提高了效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动器:K3598-01-VB 在电机控制中表现出色,能够有效地管理电机的启动和停止过程,减少能耗。
    - 电源转换器:在高频开关电源中,其低导通电阻和高击穿电压确保了稳定的功率转换。
    - 汽车电子系统:在汽车中用于各种电子控制系统,如电动助力转向系统(EPS)、引擎管理系统等。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应确保散热措施得当,避免过热影响器件寿命。
    - 设计电路时,考虑其快速开关性能,合理设置栅极驱动电阻,以达到最佳性能。
    - 在设计中,应注意栅极保护,避免过高的栅极电压导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    K3598-01-VB 采用标准的TO-220AB封装,易于与其他常见的MOSFET和其他电子元器件集成。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利应用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何处理栅极振铃?
    - 解决方法:增加栅极电阻,抑制振铃现象,确保栅极驱动信号的稳定。
    - 问题二:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方法:参考数据手册中的栅极阈值电压(VGS(th)),选择合适的驱动电压,确保MOSFET的正常工作。
    - 问题三:如何判断散热是否足够?
    - 解决方法:根据器件的最大功耗(PD)和热阻(RthJA),计算出器件的工作温度,并确保散热器的设计能够将温度保持在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K3598-01-VB N-Channel 100-V MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,非常适合应用于高温环境和需要高效、快速开关性能的应用场合。该器件的优异性能、广泛的适用范围及其提供的全面技术支持使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐此款MOSFET用于各类工业、汽车及消费电子领域的产品设计中。

K3598-01-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 55A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3598-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3598-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3598-01-VB K3598-01-VB数据手册

K3598-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
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