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T1N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: T1N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) T1N60-VB

T1N60-VB概述

    T1N60 N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    T1N60 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N沟道功率MOSFET。它的主要特点在于低门极电荷(Qg),这使其驱动要求简单,提高了门极、雪崩和动态dv/dt的坚固性。这款MOSFET具有完全表征的电容和雪崩电压及电流,且符合RoHS指令2002/95/EC的要求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS ±100 | nA |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 4.0 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 417 pF |
    | 输出电容 | Coss 45 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 5
    | 总栅电荷 | Qg 11 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) 14 ns |
    | 上升时间 | tr 20 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) 34
    | 衰减时间 | tf 18

    3. 产品特点和优势


    T1N60 MOSFET具有多项显著的优势:
    - 低门极电荷:简化了驱动要求,降低了系统复杂度。
    - 高可靠性:改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐用性,确保长期稳定运行。
    - 完全表征的参数:提供精确的电容和雪崩参数,方便设计工程师选择。

    4. 应用案例和使用建议


    T1N60 MOSFET广泛应用于各种电源转换和控制电路中。例如,在逆变器和电机驱动系统中,它可以提高系统的效率和可靠性。使用时应注意以下几点:
    - 在选择驱动电路时,确保能够承受高电压和大电流。
    - 使用低杂散电感和接地平面的设计,以减少噪声和干扰。
    - 确保散热良好,避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:T1N60适用于多种电路设计,但需要根据具体应用进行适当的选择和验证。
    - 支持:台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确连接引脚?
    - 解决方案:参考产品手册中的封装图和引脚排列,正确连接各引脚。
    - 问题:散热不良导致过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保温度不超过规定范围。


    7. 总结和推荐


    综上所述,T1N60 MOSFET在性能、可靠性方面表现出色,特别适合于需要高电压、大电流的应用场合。强烈推荐在各类电源管理和控制系统中使用该产品。如需进一步技术支持或咨询,请联系台湾VBsemi的客户服务热线:400-655-8788。

T1N60-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

T1N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

T1N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 T1N60-VB T1N60-VB数据手册

T1N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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