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K3986-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3986-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3986-01MR-VB

K3986-01MR-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍的是VBsemi公司的K3986-01MR-VB型N-Channel 650V功率MOSFET。这款产品具有低门极电荷(Qg)的特点,有助于简化驱动要求。其主要功能包括高门极、雪崩和动态dv/dt坚固性,完全表征的电容及雪崩电压和电流特性,同时符合RoHS指令2002/95/EC。这种MOSFET广泛应用于电源转换、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 门源电压(VGS):± 30V
    - 静态漏源击穿电压(VDS):650V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
    - 零门电压漏电流(IDSS):25μA
    - 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω @ VGS = 10V
    - 总门电荷(Qg):48nC
    - 门源电荷(Qgs):12nC
    - 门源电荷(Qgd):19nC
    - 有效输出电容(Coss eff.):84pF
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt):2.8V/ns
    - 操作结温范围(TJ, Tstg):-55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):简化驱动需求,降低驱动成本。
    - 高耐用性:改进的门极、雪崩和动态dv/dt特性,使产品更加稳定可靠。
    - 表征充分:完全表征的电容及雪崩电压和电流特性,确保产品质量一致性。
    - 环保合规:符合RoHS指令,确保无害物质的限制使用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源转换、电机驱动等领域。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要特别注意热管理。
    - 确保驱动电路的性能符合MOSFET的技术要求。
    - 考虑到过流保护的重要性,建议在实际应用中增加合适的过流保护措施。

    兼容性和支持


    - K3986-01MR-VB型号与现有的大多数标准电源转换器和电机驱动系统兼容。
    - 厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括技术文档、设计支持和售后咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何处理过热问题?
    - 解决方案:优化散热设计,确保MOSFET工作温度不超过最大额定值。
    - 问题二:门极驱动信号不稳导致的MOSFET损坏。
    - 解决方案:优化门极驱动电路设计,确保信号稳定性和可靠性。


    总结和推荐


    K3986-01MR-VB是一款性能优异、适用范围广的N-Channel 650V功率MOSFET,特别适合于需要高可靠性和稳定性的应用场合。其具备的低门极电荷、高耐用性等特点使其在市场上具备较强的竞争力。建议在设计电源转换和电机驱动相关电路时优先考虑此产品。

K3986-01MR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3986-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3986-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3986-01MR-VB K3986-01MR-VB数据手册

K3986-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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