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WTL2622-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,4.8A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: WTL2622-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTL2622-VB

WTL2622-VB概述

    Dual N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本技术手册介绍了VBsemi公司生产的WTL2622型号双N沟道20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于各种电子设备中,如开关电源、电机驱动器和逆变器等。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围:20 V (D-S)
    - 最大连续漏极电流:
    - TC = 25°C 时:3.5 A
    - TC = 70°C 时:2.8 A
    - 最大脉冲漏极电流:18 A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C 时:1.6 W
    - TC = 70°C 时:1.0 W
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:20 V
    - 栅源电压 VGS:±12 V
    - 连续源漏二极管电流 IS:1.17 A
    - 最大接合温度和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 封装尺寸:TSOP-6 封装,引脚配置如下图所示:

    ```
    6
    4
    1
    2
    3
    5
    ```

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻 RDS(on) 仅为 0.022 Ω;在 VGS = 2.5 V 时,导通电阻为 0.028 Ω。
    - 高可靠性:符合RoHS和无卤素标准,且通过100% Rg测试。
    - 快速开关速度:例如,开启延迟时间 td(on) 为 10 ns,关断延迟时间为 10 ns。
    - 低栅极电荷:典型总栅极电荷 Qg 为 1.8 nC。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,例如电源管理、电机控制、电池充电器等。具体应用案例包括但不限于:
    - 开关电源:由于其低导通电阻,可以显著降低功耗,提高效率。
    - 电机驱动器:快速开关速度确保了良好的动态性能。
    - 逆变器:低导通电阻减少了发热,提高了系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计电源系统时,确保漏极电流不超过额定值,以避免损坏。
    - 使用合适的散热措施,尤其是在高温环境下运行时。
    - 为了更好地利用产品的高性能特性,可以考虑结合热管理和电路布局优化,以获得最佳效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以与其他常见的电子元器件和电路板设计兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供了全面的技术支持和维护服务,包括技术咨询和故障排查。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:漏极电流过大导致MOSFET过热。
    - 解决办法:增加外部散热片,改善散热条件;同时检查负载是否正常。
    - 问题:开关频率过高引起异常温升。
    - 解决办法:降低开关频率或增加适当的栅极电阻,以减小栅极电荷。

    7. 总结和推荐


    总结:WTL2622双N沟道20V MOSFET凭借其出色的导通电阻、快速开关特性和高可靠性,非常适合用于电源管理和电机控制等领域。其无卤素和RoHS认证进一步增强了产品的市场竞争力。
    推荐:鉴于上述特性,我们强烈推荐此产品给需要高性能和可靠性的应用场合。对于任何潜在的应用,建议客户在实际应用前进行全面验证。

WTL2622-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTL2622-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTL2622-VB数据手册

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WTL2622-VB封装设计

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