处理中...

首页  >  产品百科  >  LZ34-VB

LZ34-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: LZ34-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LZ34-VB

LZ34-VB概述

    LZ34 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    LZ34 是一款 N-Channel 60V (D-S) MOSFET,由台湾VBsemi电子有限公司生产。该器件适用于表面贴装,并提供管带包装选项。它具有高可靠性、低栅极电荷和快速开关性能,能够适应多种电子应用领域,如电源管理、电机控制及各种工业控制系统。

    技术参数


    以下是 LZ34 的关键技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID @ TC = 25°C): 50A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200A
    - 最大耗散功率 (PD @ TC = 25°C): 150W
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 4.5 V/ns
    - 操作结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.5V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 25 μA (VDS = 60V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.024Ω (VGS = 10V), 0.028Ω (VGS = 4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 输出电容 (Coss):
    - 反向转移电容 (Crss):
    - 总门电荷 (Qg): 66 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 17 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 2 ns
    - 体二极管反向恢复时间 (trr): 130 ns 至 180 ns

    产品特点和优势


    LZ34 在以下几个方面表现优异:
    - 环保标准:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 2002/95/EC 环保标准,不含卤素。
    - 低栅极电荷:有助于降低电路的整体功耗,提高能效。
    - 快速开关:适合高频开关应用,提高了系统的响应速度。
    - 逻辑级栅极驱动:简化了与逻辑级电路的集成。

    应用案例和使用建议


    LZ34 MOSFET 可广泛应用于多种场景,例如:
    - 电源管理:用于直流-直流转换器中的降压或升压电路。
    - 电机控制:驱动小型电动机,如风扇和泵。
    - 工业控制系统:用于各类自动化设备的开关控制。
    使用建议:
    - 热设计:确保良好的散热,特别是对于长时间运行的应用,因为较高的结温会降低器件寿命。
    - 电路布局:减少寄生电感,采用接地平面以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    LZ34 与其他标准封装的 MOSFET 具有较好的兼容性,方便替换和升级。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和客户服务热线(400-655-8788),以便客户随时获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止过高的结温损坏器件?
    - 答:使用适当的散热措施,例如加装散热片,并保持良好的空气流通。
    2. 问:器件在高温环境下工作时表现出不稳定的情况如何处理?
    - 答:降低工作电压,增加冷却措施,确保温度不超过额定值。
    3. 问:如何选择合适的栅极电阻以确保开关性能?
    - 答:根据负载和驱动能力选择合适的栅极电阻,以确保开关时间和功耗的最佳平衡。

    总结和推荐


    综上所述,LZ34 N-Channel MOSFET 是一款高性能、环保且经济的电子元件,特别适合需要高可靠性和快速开关特性的应用。强烈推荐在电源管理和电机控制等领域使用该产品。如果您需要更多技术支持,可以联系VBsemi公司的客户服务热线 400-655-8788。

LZ34-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LZ34-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LZ34-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LZ34-VB LZ34-VB数据手册

LZ34-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831