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K3793-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K3793-AZ-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3793-AZ-VB

K3793-AZ-VB概述

    # K3793-AZ-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3793-AZ-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET 系列。该产品具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性,适用于隔离式DC/DC转换器和其他需要高效功率转换的应用场景。

    技术参数


    以下是K3793-AZ-VB的技术规格和关键性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-源极阈值电压 | 2 | 4 V |
    | 导通时漏极电流 120 | A |
    | 漏极-源极导通电阻 0.127 | 0.170 | Ω |
    | 栅极电荷 28 nC |
    | 额定击穿电压 | 100 V |
    | 最大栅极-源极电压 | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | 18 15 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 68 | A |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:结点到散热片(漏极)热阻 RthJC 为 0.4°C/W

    产品特点和优势


    K3793-AZ-VB 主要特点如下:
    - 高温耐受性:最高工作温度可达175°C。
    - 低导通电阻:典型值为0.127Ω,有效减少功耗。
    - 高可靠性:100%的Rg测试,保证产品一致性。
    - 高效率:具备低热阻特性,适用于各种严苛环境。
    这些特点使得K3793-AZ-VB在许多工业和消费电子领域具有很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    K3793-AZ-VB 主要应用于隔离式DC/DC转换器中。例如,在电源适配器设计中,可以通过使用此MOSFET提高转换效率和降低发热。为了充分发挥其优势,建议采取以下措施:
    - 选择合适的散热片:确保MOSFET在高温环境下仍能正常工作。
    - 正确布局电路板:合理规划走线以减少杂散电感,提高转换效率。
    - 优化驱动电路:选择适当的栅极电阻,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K3793-AZ-VB 采用标准TO-220AB封装,可以方便地安装在PCB上。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于设计咨询和技术培训。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案:增加散热片面积,改善散热效果;调整电路板布局,优化散热路径。
    - 问题:MOSFET损坏
    - 解决方案:检查电源输入是否稳定,确认驱动信号是否正确;更换更合适的MOSFET型号。
    - 问题:工作温度过高
    - 解决方案:使用外置散热风扇,加强通风;优化电路设计,减少功耗。

    总结和推荐


    K3793-AZ-VB 在高温环境下的出色表现和低导通电阻特性使其成为工业和消费电子产品中理想的功率开关组件。结合其出色的性价比和供应商提供的技术支持,非常推荐在隔离式DC/DC转换器等应用中使用。
    以上内容基于K3793-AZ-VB的数据手册进行了详细的解读和总结,希望对您的选购和应用提供帮助。

K3793-AZ-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3793-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3793-AZ-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3793-AZ-VB K3793-AZ-VB数据手册

K3793-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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