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UT3414G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: UT3414G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3414G-AE3-R-VB

UT3414G-AE3-R-VB概述

    UT3414G-AE3-R N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT3414G-AE3-R 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SOT-23 封装。这款 MOSFET 主要应用于直流转换器和便携式设备中的负载开关。其独特的 TrenchFET® 技术赋予其卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\):20 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\):±12 V
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\):20 A
    - 最大连续源漏二极管电流 \(I{S}\):1.75 A
    - 电流参数:
    - 在 \(TJ = 150°C\) 条件下,最大连续漏电流 \(ID\):6 A(\(TC = 25°C\))至 4 A(\(TA = 70°C\))
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\):20 A
    - 门限电流 \(I{GSS}\):±100 nA
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 4.5 V\) 时:0.028 Ω
    - \(V{GS} = 2.5 V\) 时:0.042 Ω
    - \(V{GS} = 1.8 V\) 时:0.050 Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \(C{iss}\):865 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):105 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):55 pF
    - 总门电荷 \(Qg\):8.8 至 14 nC
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\):80 至 100 °C/W
    - 最大结到脚(漏)稳态热阻 \(R{thJF}\):40 至 60 °C/W
    - 安全操作区:
    - 最大工作温度范围 \(T{J}, T{stg}\):-55 至 150 °C
    - 安全操作区域受限于最大功耗 \(PD\) 和最大结温 \(TJ\)

    产品特点和优势


    - 环保特性:符合无卤素标准(IEC 61249-2-21)和RoHS指令2002/95/EC。
    - 高性能:采用TrenchFET®技术,确保低导通电阻和高可靠性。
    - 测试认证:100% Rg测试,确保产品质量。
    - 应用广泛:适用于多种直流转换器和便携式设备中的负载开关。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流转换器:由于其低导通电阻和快速开关特性,适合用于高效率的直流转换器。
    - 负载开关:能够在高电流环境下稳定工作,适用于便携式设备。
    - 使用建议:
    - 为了确保最佳性能,应在 \(V{GS} = 4.5 V\) 条件下工作,以获得最低的 \(R{DS(on)}\)。
    - 高频应用中,需要注意总门电荷 \(Qg\) 以避免开关损耗过大。
    - 热管理方面,建议使用散热片或其他散热措施来降低 \(R{thJA}\),从而提高器件的工作稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT3414G-AE3-R 与各种直流转换器和便携式设备兼容,无需特别调整即可使用。
    - 支持和服务:提供专业的技术支持团队,随时解答用户的疑问和提供必要的帮助。产品具备全面的技术文档和参考设计,方便客户进行二次开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频应用中,如何减少开关损耗?
    - 解决方案:选择合适的门电阻 \(Rg\) 并降低总门电荷 \(Qg\)。可以通过降低 \(V{GS}\) 电压或选择合适的驱动电路来实现。

    - 问题2:长时间工作后器件发热严重,如何解决?
    - 解决方案:使用散热片或其他散热措施,确保器件的 \(R{thJA}\) 达到最优状态。同时,注意工作温度不要超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    UT3414G-AE3-R N-Channel 20 V MOSFET 具有出色的导通电阻、快速开关特性和广泛的温度适用范围,适用于多种应用场景。其卓越的性能和可靠的设计使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐给需要高效、可靠 MOSFET 的工程师和设计师。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

UT3414G-AE3-R-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3414G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3414G-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3414G-AE3-R-VB UT3414G-AE3-R-VB数据手册

UT3414G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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