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K4076-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: K4076-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4076-ZK-VB

K4076-ZK-VB概述

    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款N沟道40伏特(漏极-源极)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET®技术制造。主要功能包括OR-ing、服务器及直流-直流转换器等。此MOSFET符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,适用于广泛的工业应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 40V
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( I{D} \):
    - 在 \( TJ = 175 °C \) 下, \( TC = 25 °C \):15.8A
    - 在 \( TA = 70 °C \) 下:12A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 连续源极-漏极二极管电流 \( IS \): 90A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 在 \( TC = 25 °C \) 下:100W
    - 在 \( TA = 70 °C \) 下:75W
    - 热阻 \( R{thJA} \): 32至40°C/W(最大)

    - 性能参数
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 \( V{DS} \): 40V
    - 栅极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.5至2.5V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA(\( V{DS} = 40V, V{GS} = 0V \))
    - 通态漏电流 \( I{D(on)} \): 90A(\( V{DS} \geq 5V, V{GS} = 10V \))
    - 通态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V, I{D} = 38.8A \): 0.013Ω
    - \( V{GS} = 4.5V, I{D} = 37A \): 0.01Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 725pF(\( V{DS} = 15V, V{GS} = 0V \))
    - 输出电容 \( C{oss} \):
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 570pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):
    - \( V{GS} = 10V, I{D} = 38.8A \): 85至120nC
    - \( V{GS} = 4.5V, I{D} = 28.8A \): 42至62nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 17nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 14nC
    - 栅极电阻 \( Rg \): 1.4至2.1Ω

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100%测试通过Rg和UIS
    - 低电阻:在不同工作条件下表现出优异的低通态电阻
    - 高速性能:快速的开关速度和低电容特性使其适用于高频应用
    - 温度适应性强:能在极端温度下保持稳定性能
    - 符合环保标准:完全符合RoHS标准

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 服务器:用于服务器电源转换模块,提高系统整体效率
    - 直流-直流转换器:用于各种电源转换电路,提供高效稳定的电力输出
    - 使用建议
    - 确保在使用过程中散热良好,避免过热
    - 注意控制栅极驱动信号的幅值和频率,以减少功耗和热损失
    - 在关键应用中进行充分的测试验证,确保长期可靠性

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 此MOSFET可与其他标准电路板设计兼容,适用于多种电子设备
    - 支持
    - 厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括安装指南、应用笔记和技术文档

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高负载条件下出现过热现象
    - 解决方案:增加外部散热措施,如散热片或风扇
    - 问题:开关速度较慢
    - 解决方案:优化驱动电路,降低栅极电阻
    - 问题:电路中产生噪声
    - 解决方案:合理布局和接地设计,减少电磁干扰

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 40-V MOSFET凭借其卓越的性能、可靠的稳定性和广泛的适用性,在众多应用领域展现出强大的竞争力。其低通态电阻、高可靠性以及良好的温度适应性使其成为现代电源管理和转换应用的理想选择。强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高性能和高可靠性的应用场景中。

K4076-ZK-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4076-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4076-ZK-VB数据手册

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K4076-ZK-VB封装设计

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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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