处理中...

首页  >  产品百科  >  201SP-VB

201SP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种多功能、高性能的电子器件,适用于许多不同的应用领域和模块。\n具有参数:VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,最大漏极电流(ID)为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。
供应商型号: 201SP-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 201SP-VB

201SP-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    产品类型: P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能: 用于负载开关、笔记本适配器开关等
    应用领域: 计算机电源管理、工业控制、汽车电子等领域

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30 V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - 在Ta=25°C时:13.5 A
    - 在Ta=70°C时:8.6 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 50 A
    - 工作温度范围: -55°C 到 150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=-10V时:0.011 Ω
    - 在VGS=-4.5V时:0.015 Ω
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):
    - 在VDS=-30V时:-1 μA
    - 阈值电压 (VGS(th)): -1.4 V 至 -2.5 V
    - 输入电容 (Ciss): 2550 pF
    - 输出电容 (Coss): 455 pF
    - 栅极电阻 (Rg): 0.5 Ω 至 4.4 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在VDS=-15V时:29.5 nC 至 45 nC

    产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合环保要求,适用于高可靠性需求的应用。
    - TrenchFET® 技术: 提供低导通电阻和高效率,适合多种工业和消费电子产品。
    - 全面测试: 100% Rg和UIS测试,确保产品质量和性能的一致性。
    - 宽温度范围: -55°C到150°C的工作温度范围,适应严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例: 该MOSFET广泛应用于笔记本电脑的电源管理模块,特别是在笔记本适配器的开关电路中。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合最大漏极电流和连续工作温度的要求。
    - 注意散热设计,以保证长时间稳定运行。
    - 考虑使用外部散热片或改进PCB布局,以提高散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 可与大多数标准表面贴装工艺兼容,适用SO-8封装。
    - 技术支持: 提供详尽的技术手册和支持文档,客户可以访问VBsemi官方网站获取更多资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片或改善PCB布局。

    - 问题: 阈值电压变化过大。
    - 解决方案: 确保工作温度范围在制造商规定的范围内,并使用合适的驱动电压。

    总结和推荐


    综上所述,这款P-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有出色的性能和广泛的应用前景。它不仅在耐温性和可靠性方面表现出色,而且通过无卤素材料和环保设计,使其成为理想的绿色电子元件选择。对于需要高可靠性和宽工作温度范围的场合,如笔记本电脑的电源管理模块,我们强烈推荐使用这款MOSFET。

201SP-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

201SP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

201SP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 201SP-VB 201SP-VB数据手册

201SP-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504