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K2329STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2329STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2329STL-E-VB

K2329STL-E-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET K2329STL-E 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率开关器件,适用于多种电力电子应用。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高可靠性,非常适合用于电源管理、服务器系统及DC/DC转换等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 | V |
    | 连续漏电流(TC=25°C) | ID 8A | A |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | 200 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 mJ |
    | 最大零栅极电压漏电流 | IDSS | 1 μA | 10 μA μA |
    | 导通状态漏源电阻(VGS=10V) | RDS(on)| 0.007 Ω |
    | 输入电容(VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) | Ciss 2201 pF |
    | 输出电容(VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) | Coss | 525 pF |
    | 传输电容(VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) | Crss 370 pF |
    | 总栅极电荷(VGS=10V, VDS=15V, ID=21.8A) | Qg | 35 | 45 nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 在10V VGS 下为0.007Ω,这确保了低损耗和高效率。
    2. 高可靠性和稳健性:所有产品都通过了100% Rg 和 UIS 测试,保证了在恶劣条件下的稳定性。
    3. 环保设计:符合RoHS指令2011/65/EU,无铅,对环境友好。
    4. 广泛的应用领域:可用于OR-ing、服务器、DC/DC转换等多种场合,展现了其多功能性。

    应用案例和使用建议


    1. OR-ing电路:在服务器和计算机系统中,MOSFET 可以作为切换元件,实现电源的无缝切换。
    2. 服务器电源管理:MOSFET 的低导通电阻可以显著降低电源管理中的损耗,提高整体能效。
    3. DC/DC转换器:在各种电源管理模块中,如电信设备、工业自动化系统,MOSFET 的高效性能有助于提升系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻时,需考虑减少门极振荡,以避免误导通现象。
    - 确保散热良好,以避免由于热积聚而导致的故障。
    - 考虑使用外部电容来滤波输入信号,进一步提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - K2329STL-E 与主流的PCB设计兼容,可以在大多数标准生产线上使用。
    - 提供详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档和电话技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q: MOSFET发热过快怎么办?
    - A: 使用适当的散热片或风扇来增强散热效果,确保MOSFET处于正常工作温度范围内。
    2. Q: 如何正确选择栅极驱动电阻?
    - A: 需要根据具体的应用需求和MOSFET的参数选择合适的电阻值,避免不必要的振荡和过度耗散。
    3. Q: MOSFET出现异常行为如何诊断?
    - A: 参考手册中的故障排除指南,检查接线和驱动电路是否正确连接,确保所有外部条件符合规范。

    总结和推荐


    总体来看,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET K2329STL-E 在电力电子领域表现出色,具备低导通电阻、高可靠性及环保特性,是一款性价比很高的产品。推荐应用于需要高效率和高性能电力管理的场合,如服务器、数据中心和工业控制系统。

K2329STL-E-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2329STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2329STL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2329STL-E-VB K2329STL-E-VB数据手册

K2329STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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