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UTF3055L-AA3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223-3适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。
供应商型号: UTF3055L-AA3-R-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTF3055L-AA3-R-VB

UTF3055L-AA3-R-VB概述


    产品简介


    N-Channel 0-V (D-S) MOSFET UTF3055L-AA3-R
    产品类型:该产品是一种N沟道零伏(D-S)MOSFET,属于高电压SOT-223封装的MOSFET。它采用先进的TrenchFET®技术制造,能够提供优异的开关特性和低导通电阻。
    主要功能:这款MOSFET在负载开关、便携式设备和其他需要高效率电源管理的应用中表现出色。其独特的TrenchFET®技术使其具有极低的导通电阻和卓越的热性能。
    应用领域:适用于便携式设备中的负载开关,以及其他需要高效功率控制的领域,如通信设备、消费电子产品和工业控制系统。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏电流 (ID):2.5A(TC = 25°C),3.0A(TA = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):20A
    - 最大连续源漏二极管电流 (IS):0.2A(TC = 25°C),0.1A(TA = 25°C)
    - 最大功耗 (PD):4.0W(TC = 25°C),3.0W(TC = 70°C)
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):40°C/W(最大值),50°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时为0.07Ω,在VGS = 4.5V时为0.08Ω,显著提高了能效。
    - 高可靠性:采用无卤素材料制造,符合RoHS标准,确保长期稳定运行。
    - 卓越的热性能:低热阻设计(RthJA = 40°C/W),可在高负载条件下保持良好的温度控制。
    - 紧凑封装:SOT-223封装,便于安装和布局,特别适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 便携式设备中的负载开关:该MOSFET可用于便携式设备中的电池保护和管理,确保安全和高效的工作状态。
    2. 通信设备中的电源管理:在通信设备中,该MOSFET可作为高效的电源开关,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以防止过热导致的性能下降。
    - 确保使用合适的焊接条件,避免手动焊接对无引线组件造成损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数标准电路板材料和设计兼容,方便集成到现有系统中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境中MOSFET发热严重。
    - 解决方案:添加散热片或采用更有效的散热方案,以保证MOSFET在正常温度范围内工作。
    - 问题2:焊接过程中出现虚焊。
    - 解决方案:使用自动焊接设备,并遵循制造商推荐的焊接条件。

    总结和推荐


    总体而言,UTF3055L-AA3-R是一款性能优异的N沟道MOSFET,尤其适合于需要高效能电源管理和高可靠性的应用场合。其低导通电阻、高可靠性和紧凑封装使得它成为众多现代电子设备的理想选择。强烈推荐用于便携式设备、通信设备及其他需要高性能MOSFET的应用中。

UTF3055L-AA3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,85mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.53V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTF3055L-AA3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTF3055L-AA3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTF3055L-AA3-R-VB UTF3055L-AA3-R-VB数据手册

UTF3055L-AA3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
2500+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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