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K3402-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: K3402-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3402-Z-VB

K3402-Z-VB概述


    产品简介


    K3402-Z TrenchFET® Power MOSFET
    K3402-Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高温和高功率密度的应用设计。它具有高达 175°C 的结温能力,能够承受极端的工作环境,适用于工业、汽车和电力系统等多种应用场合。该产品采用 TO-252 封装,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 最大击穿电压 (VDS):60 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V,ID = 20 A 时:0.010 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V,ID = 15 A 时:0.013 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时:60 A
    - TC = 100 °C 时:100 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):125 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):136 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - RthJA(最大):18 °C/W
    - RthJC(最大):1.1 °C/W
    电气特性:
    - 输入电容 (Ciss):2650 pF
    - 输出电容 (Coss):470 pF
    - 反向转移电容 (Crss):225 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):47 nC 至 70 nC
    - 栅极电荷 (Qgs):10 nC
    - 栅源电荷 (Qgd):12 nC
    - 转换时间 (td(on), tr, td(off), tf):分别在 10-50 ns 之间

    产品特点和优势


    K3402-Z 的独特之处在于其能够在高达 175°C 的环境下正常工作,这使得它非常适合在高温环境中使用的各种工业和汽车应用。其低导通电阻和高电流承载能力确保了高效的能源利用,减少了功耗和发热,从而提高了系统的可靠性和稳定性。此外,其封装形式便于焊接和安装,提高了产品的可操作性和适用性。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电源管理
    - 高压转换
    - 电机控制
    - 照明驱动
    使用建议:
    - 设计时应考虑热管理和散热,确保在高温环境下稳定运行。
    - 在高压转换应用中,应注意栅极驱动的设计以避免过高的电压冲击。
    - 安装时需遵循正确的焊接和装配工艺,以防止损坏。

    兼容性和支持


    K3402-Z 具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元器件和设备配合使用。厂商提供详细的安装指南和技术支持,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。官方的技术支持热线(400-655-8788)随时为客户提供帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 高结温下的性能不稳定: 应加强散热措施,如增加散热片或改进散热设计。
    2. 过高的栅极电压导致击穿: 使用合适的栅极驱动电路,避免过高的栅极电压。
    3. 过高的电流导致损坏: 设计合理的电流限制和保护电路,确保电流不超过额定值。
    解决方案:
    1. 加强散热措施。
    2. 选用合适的栅极驱动电路。
    3. 设计电流限制和保护电路。

    总结和推荐


    K3402-Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的热稳定性和高电流承载能力。它的独特优势使其成为许多高温、高压应用的理想选择。虽然价格可能略高于普通 MOSFET,但其优异的性能和可靠性使它在市场上具有很高的竞争力。总体而言,强烈推荐 K3402-Z 给需要高效能和高可靠性的客户。
    本文通过对 K3402-Z 的详细介绍,希望能帮助读者更好地理解和使用这款优秀的电子元器件。

K3402-Z-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3402-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3402-Z-VB数据手册

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K3402-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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