处理中...

首页  >  产品百科  >  UPA679TB-T2-A-VB

UPA679TB-T2-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: UPA679TB-T2-A-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA679TB-T2-A-VB

UPA679TB-T2-A-VB概述

    UPA679TB-T2-A 双极性N沟道和P沟道MOSFET技术手册

    产品简介


    UPA679TB-T2-A是一款由VBsemi制造的双极性N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET具备高效的开关性能,适用于便携式设备中的负载开关应用。其采用表面贴装技术,具有低导通电阻和快速响应时间,能够在多种环境中高效运作。

    技术参数


    以下是UPA679TB-T2-A的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 20V (N-channel), 20V (P-channel)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - N-channel: 0.090Ω (VGS = 4.5V), 0.110Ω (VGS = 2.5V), 0.130Ω (VGS = 1.8V)
    - P-channel: 0.155Ω (VGS = -4.5V), 0.190Ω (VGS = -2.5V), 0.220Ω (VGS = -1.8V)
    - 连续漏极电流 (ID):
    - N-channel: 3.28A (TJ = 150°C), 2.12A (TJ = 85°C)
    - P-channel: -2.80A (TJ = 150°C), -1.72A (TJ = 85°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 9.5A (N-channel), 8.5A (P-channel)
    - 最大功率耗散 (PD):
    - N-channel: 1.24W (TJ = 25°C), 0.88W (TJ = 85°C)
    - P-channel: 1.17W (TJ = 25°C), 0.75W (TJ = 85°C)
    - 绝对最大额定温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至150°C
    - 热阻抗:
    - RthJA (最大): 170°C/W (瞬态),220°C/W (稳态)
    - RthJF (最大): 100°C/W

    产品特点和优势


    UPA679TB-T2-A的显著特点是:
    - 低导通电阻,适用于高效率开关应用。
    - 快速开关性能,提高电路整体性能。
    - 卤素自由和符合RoHS标准,确保环保和合规性。
    - 热增强SC-70封装,有助于散热和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 便携式设备中的负载开关:这款MOSFET适合用于便携式设备如手机、平板电脑等中的负载开关,能有效提升电池寿命和系统性能。
    - 设计优化:为获得最佳性能,建议在电路设计时确保电源电压在合适的范围内,避免过高的VGS对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UPA679TB-T2-A具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,包括技术文档、应用指南及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:电源电压超出允许范围会导致器件损坏。
    - 解决方法:确保VGS不超过±20V,VDS不超过20V。
    - 问题2:电路中出现过大的寄生电容,影响开关速度。
    - 解决方法:选择合适的栅极电阻以优化驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,UPA679TB-T2-A是一款高性能、可靠的N沟道和P沟道MOSFET,特别适合便携式设备中的负载开关应用。它具备优异的导通电阻和快速开关性能,能够显著提高系统的效率和稳定性。鉴于其优越的性能和广泛的应用前景,我们强烈推荐此款MOSFET给需要高性能开关器件的设计工程师。

UPA679TB-T2-A-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2.5A,1.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±600mV~2V
Rds(On)-漏源导通电阻 130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA679TB-T2-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA679TB-T2-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA679TB-T2-A-VB UPA679TB-T2-A-VB数据手册

UPA679TB-T2-A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831