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K40D10J1A4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K40D10J1A4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40D10J1A4-VB

K40D10J1A4-VB概述

    # K40D10J1A4-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术概述

    产品简介


    K40D10J1A4-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,专为需要高可靠性和稳定性的应用设计。该器件采用了先进的 TrenchFET® Power 技术,适用于各种电源管理解决方案及高频开关电路。其主要功能包括出色的低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和宽广的工作温度范围。此产品广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是 K40D10J1A4-VB 的关键技术和性能指标:
    - 工作电压:VDS 最大可达 100V;
    - 最大电流:
    - 连续工作电流 (TJ = 150°C):90A;
    - 脉冲电流 (TJ = 25°C):287A;
    - 关断状态漏电流 (VGS = 0V, VDS = 100V): 1μA @ 25°C, 50μA @ 125°C;
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V 下典型值:0.008Ω;
    - VGS = 6V 下典型值:0.0100Ω;
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C;
    - 热阻抗:RthJA = 40°C/W @ PCB mount, RthJC = 0.6°C/W。
    产品特点与优势
    K40D10J1A4-VB 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 卓越的热管理和可靠性:得益于优化的热设计和严格的生产标准,即使在极端条件下也能保持良好的性能稳定性。
    2. 快速开关速度:得益于较低的输入电容 (Ciss),它能够实现高效的能量转换效率。
    3. 高集成度:采用 TO-220 Fullpak 封装形式,便于安装且节省空间。
    4. 环境友好型材料:符合 RoHS 和 Halogen-Free 规范,适合绿色环保需求的应用场合。
    应用案例与使用建议
    应用场景
    K40D10J1A4-VB 可用于多种电子系统中,例如:
    - 开关电源模块;
    - 驱动电机控制器;
    - 汽车电子控制系统。
    使用建议
    为了最大化发挥该产品的潜力,在设计时需注意以下几点:
    - 确保正确的散热措施以避免过热现象发生;
    - 使用合适的栅极驱动电路来减少开关损耗;
    - 在高温环境下运行时,适当降低工作电流以延长使用寿命。
    兼容性与支持
    本款产品与其他主流品牌生产的同类产品具有良好的互换性,可以轻松替代现有的解决方案。同时,厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线FAQ库、电话技术支持热线 (400-655-8788) 等渠道可供客户随时查询相关信息。
    常见问题解答
    1. 问:如何判断器件是否损坏?
    - 答:可以通过测量其静态参数如导通电阻或阈值电压来进行判断。如果发现这些数值超出正常范围,则可能存在故障。
    2. 问:长时间暴露于高温环境中会影响器件寿命吗?
    - 答:是的。虽然K40D10J1A4-VB能够在高达175°C的结温下正常工作,但长期处于接近上限值的状态可能会加速老化过程。因此,在实际应用中尽量避免让器件长时间处于高负荷状态下运行。
    3. 问:能否将此芯片直接连接到市电上?
    - 答:不可以。必须通过适当的降压电路将电压降至安全水平后再接入主回路当中。
    综合评价及推荐意见
    总体而言,K40D10J1A4-VB 是一款性价比极高并且极具竞争力的产品。无论是从技术参数还是应用场景来看,都显示出了强大的市场适应能力。对于希望提高系统能效并降低成本的企业来说,这无疑是一个理想的选择。如果您正在寻找一款能够在恶劣条件下依然表现出色的高性能MOSFET,那么这款产品将是您的最佳伙伴。

K40D10J1A4-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 90A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40D10J1A4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40D10J1A4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40D10J1A4-VB K40D10J1A4-VB数据手册

K40D10J1A4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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