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PSMN9R5-100PS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: 14M-TPH2R506PL-VB DFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN9R5-100PS-VB

PSMN9R5-100PS-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道100-V(D-S)175°C MOSFET,采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术。它具有出色的耐高温性能,能够在高达175°C的温度下稳定工作,并且符合RoHS指令2002/95/EC标准。这款MOSFET广泛应用于各种高功率、高温环境下的电力系统,例如电动汽车、工业控制、通信设备等领域。

    技术参数


    - 电压范围:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为100V。
    - 电流能力:连续漏极电流 \( ID \) 在环境温度为25°C时可达100A,在125°C时为75A。脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 可达300A。
    - 热性能:结到环境的热阻率 \( R{thJA} \) 为40°C/W(适用于TO-263封装),结到外壳的热阻率 \( R{thJC} \) 为0.6°C/W。
    - 工作温度:存储和操作温度范围为-55°C至175°C。
    - 其他特性:单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 为280mJ,最大功率耗散 \( PD \) 在25°C环境温度下为250W。

    产品特点和优势


    这款N沟道MOSFET的主要特点是:
    - 高温稳定性:能够在175°C的极端温度环境下正常工作。
    - 快速开关性能:具备优异的动态特性和低栅极电荷,适合高频应用。
    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 在10V栅源电压下仅为0.009Ω,确保高效能电力传输。
    - 符合RoHS标准:环保设计,适合绿色应用。
    这些特点使得这款MOSFET在汽车电子、工业自动化及电信设备等领域具有广泛的应用前景,并在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电动汽车充电系统中的功率转换电路。
    - 工业机器人和伺服电机的驱动器。
    - 通信基站的电源管理模块。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以保证器件的长期稳定运行。
    - 为了提高效率,建议选择合适的栅极电阻和栅极驱动器,减少开关损耗。
    - 针对大电流应用,应注意并联多个器件以分担电流,避免过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用标准TO-220AB封装,与大多数现有的电路板和散热设计兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、技术咨询和故障排除指导。客户可通过400-655-8788联系服务热线获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下出现过热现象。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用更大尺寸的散热片或外部风扇。
    - 问题2:开关过程中出现明显的能量损耗。
    - 解决办法:检查栅极电阻值,适当降低栅极驱动速度,或者更换更高效的驱动器。
    - 问题3:电路中出现不稳定的电流波动。
    - 解决办法:确保所有连接正确无误,检查外部电容和电感的匹配情况。

    总结和推荐


    总体而言,这款N沟道100-V(D-S)175°C MOSFET凭借其出色的高温性能、低导通电阻和快速开关特性,非常适合于高功率、高温环境下的应用。无论是在电动汽车、工业自动化还是通信设备领域,这款产品都能提供卓越的性能和可靠性。因此,强烈推荐在相关应用中使用此款MOSFET。

PSMN9R5-100PS-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PSMN9R5-100PS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN9R5-100PS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PSMN9R5-100PS-VB PSMN9R5-100PS-VB数据手册

PSMN9R5-100PS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.6289
10+ ¥ 5.2978
30+ ¥ 4.7283
100+ ¥ 3.5429
1000+ ¥ 3.4104
3000+ ¥ 3.3111
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