处理中...

首页  >  产品百科  >  UT30P04L-VB

UT30P04L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-55A,RDS(ON),10mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: UT30P04L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT30P04L-VB

UT30P04L-VB概述

    UT30P04L P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT30P04L 是一款 P-Channel MOSFET,具有极高的耐压能力(40V),并广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理系统等领域。其独特的设计使其能够承受高电流和恶劣的工作环境,确保稳定可靠的工作表现。

    2. 技术参数


    - 耐压能力 (VDS): 40V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时: 120A
    - TC = 125°C 时: 52A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 220A
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±40V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时: 0.010Ω
    - VGS = -4.5V 时: 0.014Ω
    - 栅极电荷 (Qg): 160nC
    - 输入电容 (Ciss): 3000pF
    - 输出电容 (Coss): 620pF
    - 反向传输电容 (Crss): 315pF
    - 热阻 (RthJA): 40°C/W (PCB安装),62.5°C/W (自由空气)
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时: 45W
    - TA = 25°C 时: 3.75W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 符合RoHS指令2002/95/EC标准,保证环保无铅。
    - 低导通电阻: 在不同电压下的RDS(on)值极低,适用于高效电源转换。
    - 大电流能力: 可以承受高达220A的脉冲电流,适合高电流应用场景。
    - 宽温度适应性: 工作温度范围广,能够在极端环境中稳定运行。
    - 低栅极电荷: 有助于提高开关速度,降低能耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于电动车充电器、工业电机控制器和光伏逆变器等系统。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意散热问题,合理选择散热片和通风条件。
    - 考虑到栅极电荷的影响,在设计驱动电路时需要适当匹配驱动电阻。
    - 确保栅极-源极电压在安全范围内,避免过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: UT30P04L与多种不同的电路板和设备兼容,适用于广泛的电源管理和控制系统。
    - 技术支持: 客户可以通过服务热线400-655-8788获得技术咨询和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过载情况下如何保护MOSFET?
    - 解决方法: 使用适当的热熔丝或过流保护电路来防止过载电流导致的损坏。

    - 问题: 开关频率过高时发热严重怎么办?
    - 解决方法: 加大散热片面积,采用主动冷却措施如风扇辅助散热,优化电路布局减少热阻。

    7. 总结和推荐


    UT30P04L P-Channel MOSFET凭借其出色的耐压能力和高效性能,适合于多种高要求的应用场景。低导通电阻和大电流能力使其成为电源管理领域的优选。其广泛的温度适应性和低栅极电荷特性,使得该产品在恶劣环境和高频开关应用中表现出色。综上所述,强烈推荐UT30P04L作为高性能电源管理和控制系统的首选电子元件。

UT30P04L-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 55A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT30P04L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT30P04L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT30P04L-VB UT30P04L-VB数据手册

UT30P04L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504