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VSO040N04MD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,12A,RDS(ON),15mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.55Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: VSO040N04MD-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VSO040N04MD-VB

VSO040N04MD-VB概述

    # 电子元器件技术手册:Dual N-Channel 60 V MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型与功能
    Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET(型号VSO040N04MD)是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的TrenchFET®工艺制造。该产品主要用于高压开关电路和电源管理,特别适合于需要高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和高效能的应用场景。
    主要功能
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on))确保了更低的功耗和更高的能效。
    - 快速开关速度:优异的动态特性使得其适用于高频开关应用。
    - 高可靠性:通过100%的Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 宽温度范围:工作温度范围为-55°C至+175°C,适合恶劣环境下的应用。
    应用领域
    - 电源管理系统
    - 工业控制
    - 汽车电子
    - 数据通信设备
    - 便携式电子产品

    2. 技术参数


    以下是Dual N-Channel 60 V MOSFET的技术规格概览:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.028 Ω |
    | 漏极连续电流 | ID | 7 A |
    | 最大功率耗散 | PD | 4 1.3 | W |
    | 热阻抗(板载) | RthJA | 110 °C/W |
    其他关键参数还包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)等。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 高集成度:双通道设计减少了外部组件的数量,简化了PCB布局。
    - 高可靠性:通过UIS测试,保证了在短路条件下的安全性。
    - 宽温操作:能够在极端温度下保持稳定的性能表现。
    市场竞争力
    与其他同类产品相比,Dual N-Channel 60 V MOSFET以其出色的热管理和高效的开关性能在市场上占据领先地位。它不仅提供了卓越的性能,还具有较高的性价比,非常适合需要高性能但预算有限的设计项目。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    此款MOSFET广泛应用于各种电源转换器中,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。此外,在LED驱动电路中也可以看到它的身影,因其能够提供良好的电流控制能力和快速响应时间。
    使用建议
    为了最大化利用该产品的潜力,在设计时应注意以下几点:
    - 确保所有连接正确无误,特别是栅极驱动信号。
    - 考虑到散热问题,尽量选择具有良好导热性能的基板材料。
    - 在实际部署前进行充分测试以验证其是否符合预期要求。

    5. 兼容性和支持


    该器件与大多数主流微控制器平台兼容,易于集成进现有的系统架构中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括但不限于样品请求、技术支持热线及在线资源库访问权限等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常噪声 | 检查电源滤波电路是否正常 |
    | 温度过高导致自动关闭保护功能 | 增加散热片或改进散热设计 |
    | 开关速度较慢 | 优化驱动电路的设计 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 60 V MOSFET凭借其卓越的性能、广泛的适用性和可靠的支持服务,成为众多工程师的理想选择之一。如果你正在寻找一款既能满足严格要求又能带来成本效益的产品,那么这款器件无疑值得考虑。强烈推荐给那些希望提高产品竞争力并降低开发难度的专业人士们!

VSO040N04MD-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.55V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VSO040N04MD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VSO040N04MD-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VSO040N04MD-VB VSO040N04MD-VB数据手册

VSO040N04MD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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