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UPA1931TE-T2-AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1931TE-T2-AT-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1931TE-T2-AT-VB

UPA1931TE-T2-AT-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET UPA1931TE-T2-AT 技术手册

    1. 产品简介


    UPA1931TE-T2-AT 是一款高性能的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®技术制造,具有高效率和低导通电阻的特点。主要应用于负载开关等领域,特别适合于需要高可靠性和高效率的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是UPA1931TE-T2-AT的主要技术参数:
    - 额定电压:VDS(漏源电压)为-30V
    - 连续漏极电流:
    - TC = 25°C 时为-4.8A
    - TC = 70°C 时为-4.1A
    - TA = 25°C 时为-4.0A
    - TA = 70°C 时为-3.5A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = -20A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C 时为3.0W
    - TC = 70°C 时为2.0W
    - TA = 25°C 时为2.0W
    - TA = 70°C 时为1.3W
    - 最大结温:TJ, Tstg = -55°C至150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境的热阻抗RthJA为55至62.5°C/W
    - 最大结到脚(漏)的稳态热阻抗RthJF为34至41°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在VGS = -10V时,RDS(on)仅为0.049Ω;在VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.054Ω。
    - 高可靠性:采用Halogen-free材料制造,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 高速开关:具有快速的上升时间(tr)和下降时间(tf),适合高频应用。
    - 高效率:由于低导通电阻和低栅极电荷(Qg),使得整体效率显著提高。

    4. 应用案例和使用建议


    UPA1931TE-T2-AT 在多种场合下都有广泛应用,例如负载开关、电源管理和信号切换等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保散热措施足够以避免过热导致的性能下降。
    - 选择合适的驱动电路来确保MOSFET的栅极电压能够迅速变化,从而降低开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    UPA1931TE-T2-AT 可与其他常见的电源管理IC和微控制器配合使用。厂商提供详细的技术支持和维护服务,包括设计指南、应用笔记和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:MOSFET发热严重
    - 解决方案:增加散热片或使用风扇强制风冷,确保MOSFET工作温度在允许范围内。
    问题2:导通电阻过高
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保MOSFET工作在推荐的VGS电压范围内。

    7. 总结和推荐


    UPA1931TE-T2-AT 是一款性能优异的P沟道30V MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻和高可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。建议在需要高效率和稳定性的场合优先考虑使用这款产品。

UPA1931TE-T2-AT-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1931TE-T2-AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1931TE-T2-AT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1931TE-T2-AT-VB UPA1931TE-T2-AT-VB数据手册

UPA1931TE-T2-AT-VB封装设计

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