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K1916-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K1916-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1916-01MR-VB

K1916-01MR-VB概述

    K1916-01MR-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    K1916-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其设计旨在优化空间利用率、降低功耗并提高效率。这款 MOSFET 具有低通态电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和减少的电容开关损耗,使其非常适合在高能效要求的应用场景中使用。它广泛应用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及功率因数校正(PFC)等领域。


    2. 技术参数



    - 主要参数:
    - 最大漏源电压(VDS):550 V
    - 最小导通电阻(RDS(on)):0.26 Ω (在 VGS=10 V, ID=10 A 条件下)
    - 最大栅极总电荷(Qg):150 nC
    - 最大漏源电容(Coss):152 pF
    - 最大栅源电荷(Qgs):12 nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd):25 nC

    - 工作条件:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 漏极连续电流(ID):在 TJ = 150 °C 下为 11 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):56 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):281 mJ
    - 最大功率耗散(PD):60 W

    - 热阻抗:
    - 最大结壳(Drain)热阻(RthJC):0.45 °C/W


    3. 产品特点和优势



    - 低面积特异性通态电阻:有效降低了芯片面积,提高了整体集成度。
    - 低输入电容(Ciss):显著减少了寄生电容对电路的影响,提高了开关速度。
    - 减少的电容开关损耗:通过低输入电容实现了更高效的开关操作。
    - 强大的体二极管坚固性:提高了逆向电压耐受能力。
    - 雪崩能量额定值(UIS):确保了在高瞬态电压下的可靠运行。

    - 高效率:由于低通态电阻和简单的栅极驱动电路,确保了高效率的操作。
    - 快速开关:得益于低栅极总电荷和有效的栅极驱动,实现高速切换。
    - 成本效益:低成本的设计使得该 MOSFET 成为广泛应用的理想选择。


    4. 应用案例和使用建议



    - 消费电子:适用于 LCD 或等离子电视等显示设备,用于控制信号和电源管理。
    - 服务器和电信电源供应系统:适用于 SMPS(开关模式电源)电路,特别是需要高效转换的应用。
    - 工业应用:适合焊接、感应加热和电机驱动等应用,提供可靠的功率控制。
    - 电池充电器:提供高效的电池充电解决方案。
    - SMPS 和 PFC:提供高效率的电力调节和功率因数校正。

    使用建议:
    - 在应用过程中应注意温度限制,避免超过最大结温。
    - 使用适当的栅极驱动电路以确保快速和可靠的开关操作。
    - 确保电路设计时考虑热管理和散热措施,以维持正常工作温度范围内的性能。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:K1916-01MR-VB 与多种电子元器件和设备兼容,如各种标准的栅极驱动器和其他 MOSFET 驱动电路。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、视频教程和技术论坛,以帮助客户解决各种技术问题。


    6. 常见问题与解决方案



    - Q: MOSFET 过热怎么办?
    - A: 确保良好的散热措施,使用散热片或其他冷却装置,并监控工作温度。

    - Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 优化栅极驱动电路,减少外部寄生电容的影响,确保足够的栅极驱动电压。


    7. 总结和推荐



    总结:K1916-01MR-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种高能效需求的应用。它的低通态电阻、高效率、快速开关和良好的性价比使其成为市场上最具竞争力的产品之一。

    推荐:鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 K1916-01MR-VB 在高要求的电源管理、工业自动化、消费电子产品及其他相关领域中。

K1916-01MR-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1916-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1916-01MR-VB数据手册

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K1916-01MR-VB封装设计

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