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K4076-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: K4076-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4076-ZK-E1-AY-VB

K4076-ZK-E1-AY-VB概述


    产品简介




    N-Channel 40-V MOSFET

    本产品是一款高性能的N沟道40伏特MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET技术制造。它适用于多种电子设备,如服务器电源管理和直流/直流转换器。此产品不仅满足严格的RoHS标准,还在设计阶段通过了100%的Rg(栅极电阻)和UIS(雪崩能量)测试,确保了其可靠性和耐用性。


    技术参数




    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 40 V
    - 漏极连续电流 (ID):
    - 在TJ = 175 °C时,TC = 25 °C下为45 A
    - 在TJ = 175 °C时,TA = 25 °C下为15.8 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在TC = 25 °C下为100 W
    - 在TA = 25 °C下为3.75 W
    - 工作温度范围: -55 °C 到 175 °C
    - 电气特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V 到 2.5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 10 V时为0.013 Ω
    - 在VGS = 4.5 V时为0.01 Ω
    - 门电荷 (Qg):
    - 在VGS = 10 V时为2 nC
    - 在VGS = 4.5 V时为0.01 nC
    - 热阻率:
    - 最大结壳热阻 (RthJC): 0.5 °C/W
    - 最大结环热阻 (RthJA): 32 °C/W


    产品特点和优势




    - 高效能:采用TrenchFET技术,显著提高器件的性能,降低导通电阻,从而提高效率。
    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试确保产品在恶劣环境下也能稳定运行。
    - 环保:符合RoHS标准,有助于减少对环境的影响。
    - 广泛的适用性:可用于各种高压和大电流应用场合,如OR-ing电路、服务器电源管理和直流/直流转换器。


    应用案例和使用建议




    应用场景:广泛应用于服务器电源管理系统、直流/直流转换器及OR-ing电路。

    使用建议:
    - 热管理:由于该MOSFET具有较高的功率耗散能力,需要有效的散热措施来保证正常工作,尤其是在高温环境下。
    - 负载均衡:在服务器电源系统中使用时,合理配置多个MOSFET以平衡负载,避免过载和热失控现象。
    - 测试验证:在首次使用前,建议进行彻底的测试,确保MOSFET在特定条件下的性能符合预期。


    兼容性和支持




    兼容性:该产品与常见的电路板和其他电子元件兼容。制造商提供了详尽的技术支持,确保用户能够正确安装和使用。

    支持和维护:厂家提供详细的使用指南和技术文档,并设有24小时客服热线,随时解答用户疑问。此外,还提供定期的产品更新和服务支持。


    常见问题与解决方案




    问题1:如何处理过温问题?
    解决方案:检查散热片的接触面积和热传导路径,必要时增加散热片或冷却风扇。也可以调整驱动电路以降低工作温度。

    问题2:出现过高的栅极泄露电流怎么办?
    解决方案:检查电路布局是否存在走线干扰或损坏,确保栅极走线尽量短且无干扰。重新焊接接头或更换MOSFET也是一个选项。


    总结和推荐




    综合评估:这款N-Channel 40-V MOSFET以其卓越的性能、高效能和广泛的适用性,特别适合于需要高压、大电流的场合。其出色的可靠性和环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。

    推荐:鉴于其广泛的应用范围和优越的性能表现,我们强烈推荐此款产品用于服务器电源管理系统和各种高压直流/直流转换器。

K4076-ZK-E1-AY-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4076-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4076-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4076-ZK-E1-AY-VB K4076-ZK-E1-AY-VB数据手册

K4076-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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