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K3693-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3693-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3693-01MR-VB

K3693-01MR-VB概述

    K3693-01MR-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3693-01MR-VB 是一款适用于多种应用场景的高性能 N 沟道功率 MOSFET。它的主要功能在于提供低电阻、低输入电容和快速开关性能,使其成为消费电子产品、服务器和电信电源、工业设备(如焊接和感应加热)以及电池充电器等领域中不可或缺的组件。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.26 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 80 | 150 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3094 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 152 | - | - |
    | 有效输出电容(时间相关) | Co(tr) | - | 189 | - | - |

    产品特点和优势


    K3693-01MR-VB 具有多项优势,其中包括:
    - 低区域特定导通电阻(低 RDS(on))
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少电容切换损耗
    - 高体二极管坚固性
    - 反复脉冲下的雪崩能量等级(UIS)
    - 简单的门驱动电路
    - 快速开关
    这些特性使得该 MOSFET 在多种应用场景中表现优异,尤其是在要求高效率和稳定性的场合。

    应用案例和使用建议


    K3693-01MR-VB 主要应用于:
    - 消费电子设备,例如 LCD 或等离子电视的显示驱动
    - 服务器和电信电源供应
    - 工业焊接和感应加热设备
    - 电机驱动
    - 电池充电器和功率因数校正(PFC)
    在使用时应注意以下几点:
    1. 保持栅极和源极之间电压在 ±20 V 范围内以避免损坏。
    2. 在高温环境下使用时,应考虑散热措施,以保证 MOSFET 的正常工作。

    兼容性和支持


    K3693-01MR-VB 与大多数标准驱动电路兼容,适用于各种常见的应用场合。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时解决。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确设置栅极驱动电压?
    - 解决方案: 通常情况下,栅极驱动电压应在 10 V 左右,确保不超过 20 V 以防止栅极氧化层损坏。

    2. 问题:在高电流条件下,如何避免 MOSFET 过热?
    - 解决方案: 在高电流条件下,应使用合适的散热装置(如散热片),并定期检查 MOSFET 的温度。

    总结和推荐


    综上所述,K3693-01MR-VB 是一款高效能、稳定性强的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合在高效率、低损耗的应用环境中使用。其优秀的电气特性和可靠的支持服务使其成为工业和消费电子领域的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性、高效率的应用场景中采用此产品。

K3693-01MR-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3693-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3693-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3693-01MR-VB K3693-01MR-VB数据手册

K3693-01MR-VB封装设计

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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
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