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K2684STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K2684STL-E-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2684STL-E-VB

K2684STL-E-VB概述

    K2684STL-E-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2684STL-E-VB 是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了先进的TrenchFET技术,具备高性能和高可靠性。它主要应用于服务器电源管理和OR-ing等领域,适用于需要高效能和稳定性的应用场景。

    2. 技术参数


    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):25°C时为46A;70°C时为21A
    - 脉冲漏极电流(IDM):210A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):3A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 最大功耗(TJ = 25°C):120W;TJ = 70°C时为85W
    - 热阻抗(RthJA):最大值为32°C/W(不超过10秒)
    - 反向恢复时间(trr):52至78ns
    - 总门极电荷(Qg):35nC
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0至3.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为0.012Ω(VGS = 10V,ID = 2A)


    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提供更佳的开关特性和更低的导通电阻。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品质量和可靠性。
    - 符合RoHS指令2011/65/EU:环保合规,适用于各种绿色制造应用。
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.012Ω(VGS = 10V),有助于提高电路效率。
    - 低栅极电荷(Qg):减少驱动损耗,提升开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing应用:用于电源冗余系统,确保系统的稳定运行。
    - 服务器电源管理:用于数据中心的电源管理系统,提高能源效率。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应考虑增加散热片以提高器件的可靠性和使用寿命。
    - 确保栅极驱动信号稳定,避免由于过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 考虑到温度影响,建议在高温环境下使用时适当降低额定电流。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - K2684STL-E-VB 支持与标准D2PAK封装的其他器件兼容,适用于广泛的电路设计。
    支持和服务:
    - 产品由VBsemi公司提供全面的技术支持,包括售前咨询、售后技术支持和维修服务。
    - 客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件在高电流下过热。
    - 解决方案:增加散热片,降低工作电流,选择更大尺寸的散热器以提高散热效果。
    - 问题2:器件无法正常开启。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否满足要求,确认栅极驱动信号的稳定性。
    - 问题3:器件在高温环境下工作异常。
    - 解决方案:降低工作电流,选择更好的散热措施,如增加风扇或散热器。

    7. 总结和推荐


    总结:
    K2684STL-E-VB N-Channel MOSFET 在性能、可靠性、兼容性等方面均表现出色。其低导通电阻和先进工艺技术使其成为高性能电源管理和工业控制应用的理想选择。
    推荐:
    我们强烈推荐使用K2684STL-E-VB MOSFET,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其出色的性能和良好的支持服务将为您带来极大的便利和效益。

K2684STL-E-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2684STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2684STL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2684STL-E-VB K2684STL-E-VB数据手册

K2684STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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