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K3309-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3309-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3309-VB

K3309-VB概述

    K3309-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3309-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET,其最高电压为 650V(Drain-Source)。这款 MOSFET 在多种电力转换应用中表现出色,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明(包括高强度放电灯和荧光灯照明)和工业设备。

    2. 技术参数


    - 最高电压(Drain-Source): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 25°C时 ≤ 0.12Ω
    - 输入电容(Ciss): 最大值 1200pF
    - 输出电容(Coss): 最大值 2400pF
    - 有效输出电容(Co(tr)): 213pF
    - 总栅极电荷(Qg): 43nC(最大值)
    - 栅极电荷(Qgs): 5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 22nC
    - 突发能量(EAS): 1mJ(最大值)
    - 连续漏极电流(ID): 25°C时 12A,100°C时 9.4A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 45A
    - 最大功耗(PD): 3.6W/°C 温度系数

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on))与栅极电荷(Qg)之积,实现最低的优值(FOM)
    - 低输入电容(Ciss),降低开关损耗
    - 优化的开关性能,减少开关和传导损失
    - 极低的栅极电荷(Qg),有助于提高能效
    - 冲击耐受力(Avalanche Energy Rated, UIS)达到1mJ

    4. 应用案例和使用建议


    K3309-VB 主要应用于电力转换系统,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应和各种照明系统。在这些应用中,它可以显著提高系统的效率并减少能源浪费。
    - 使用建议:
    - 在使用时,确保驱动电路的设计符合 MOSFET 的额定电压和电流要求。
    - 使用适当的热管理策略,如散热片或风扇,以防止过热导致的损坏。
    - 选择合适的驱动电阻(Rg),以避免过高的开关损耗和栅极过压。

    5. 兼容性和支持


    K3309-VB 采用 TO-220 Fullpak 封装,适用于广泛的应用场景。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助用户解决任何技术问题。此外,用户可以访问官网下载相关的技术手册和支持资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过高的瞬态电压?
    - 解决方案: 使用 TVS 二极管进行电压钳位,确保不会超过 MOSFET 的额定电压。
    - 问题2: 散热不良导致过热?
    - 解决方案: 使用铜散热片或风扇增强散热效果,确保温度不超过最大允许值。

    7. 总结和推荐


    K3309-VB N-Channel 650V Power MOSFET 凭借其出色的性能和广泛应用能力,在电力转换系统中表现出色。它的低导通电阻和优化的开关特性使得它在提升系统效率方面具有明显优势。因此,对于需要高性能和高可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用 K3309-VB。
    以上是关于 K3309-VB N-Channel 650V Power MOSFET 的详细介绍,希望对您选择和使用该产品有所帮助。

K3309-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3309-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3309-VB数据手册

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K3309-VB封装设计

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