处理中...

首页  >  产品百科  >  KF4N60F-VB

KF4N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KF4N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF4N60F-VB

KF4N60F-VB概述

    产品概述
    KF4N60F MOSFET

    产品简介


    KF4N60F 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其耐压值为 650V,适用于各种高电压应用场合。这款 MOSFET 具有低门极电荷(Qg)和增强型栅极、雪崩及动态 dV/dt 耐久性,使得驱动需求简单且可靠。该器件还经过全面的电容和雪崩电压电流特征化,符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS=10V 下为 2.5Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大 48nC
    - 栅源电荷(Qgs):12nC
    - 栅漏电荷(Qgd):19nC
    - 最大连续漏极电流(ID):在 VGS=10V 和 TC=25°C 下为 3.8A;在 TC=100°C 下为 2.5A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 最大雪崩能量(EAS):325mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR):4A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大功耗(PD):在 TC=25°C 下为 30W
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:2.8V/ns
    - 绝对最大额定温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):降低了驱动电路的要求,简化了设计。
    2. 增强型栅极、雪崩及动态 dV/dt 耐久性:增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩特征化:提供了详尽的技术资料,便于工程师进行设计验证。
    4. 符合 RoHS 指令:确保了产品的环保性,符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    KF4N60F 主要应用于电源转换和控制电路,例如开关电源、马达驱动、光伏逆变器等领域。它特别适合于需要高耐压和高效能的应用场合。
    使用建议
    1. 在选择栅极驱动电阻时,应考虑到 Qg 值以减少开关损耗,提高效率。
    2. 由于其高耐压能力,应在电路设计中考虑充分的散热措施,避免热失效。
    3. 鉴于重复雪崩特性,建议在实际应用中对器件进行适当的测试,确保其在特定工作条件下的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:KF4N60F 可以与大多数标准的工业控制板和驱动器配合使用。
    - 支持和维护:制造商提供详细的技术文档和支持服务,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获得及时的技术咨询和故障排除帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时漏极电流过大。
    - 解决办法:检查栅极驱动电阻是否合适,重新调整驱动电路以降低 Qg 值。
    2. 问题:发热严重,导致器件损坏。
    - 解决办法:增加散热片或者改善散热设计,保证良好的热管理。
    3. 问题:重复雪崩电流过高。
    - 解决办法:降低工作频率或使用外部冷却系统来控制器件的工作温度。

    总结和推荐


    KF4N60F 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种高电压应用。其低门极电荷和增强型耐久性使其成为电源管理领域的理想选择。尽管初期成本可能略高于其他产品,但从长远来看,其高效率和长寿命可以大大节省系统的总体拥有成本。因此,强烈推荐在高电压和高可靠性要求的应用中使用 KF4N60F。

KF4N60F-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF4N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF4N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF4N60F-VB KF4N60F-VB数据手册

KF4N60F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504